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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK7A55D(STA4QM)
  TK7A55DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI10198
  仓库库存编号：FKI10198-ND
  别名：FKI10198 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A45D(STA4QM)
  TK8A45DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50DA(STA4QM)
  TK8A50DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKP252
  仓库库存编号：FKP252-ND
  别名：FKP252 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK3A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK3A65D(STA4QM)
  TK3A65DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A65D(STA4QM)
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-143
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
  
  型号：NE68139-T1-A
  仓库库存编号：NE68139-T1-ACT-ND
  别名：NE68139-ACT
  NE68139-ACT-ND
  NE68139-T1-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2171H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2171H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3004
  仓库库存编号：2SK3004-ND
  别名：2SK3004 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  详细描述：RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：MRF5812R2
  仓库库存编号：MRF5812R2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC GATE DRIVER 40V QFN
  详细描述：Half Bridge Driver AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose Power MOSFET 27-PQFN (7x8)
  
  型号：IRSM005-800MHTR
  仓库库存编号：IRSM005-800MHCT-ND
  别名：IRSM005-800MHCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A60D(STA4QM)
  TK12A60DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP401-TL-H
  仓库库存编号：ATP401-TL-H-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2173H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2173H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN 800V 3A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SC4445
  仓库库存编号：2SC4445-ND
  别名：2SC4445 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
  详细描述：IGBT Through Hole
  
  型号：NGTG12N60TF1G
  仓库库存编号：NGTG12N60TF1GOS-ND
  别名：NGTG12N60TF1GOS
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK6012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK6012DPE-00#J3-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK1557DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK1557DPA-00#J0TR-ND
  别名：RJK1557DPA-00#J0-ND
  RJK1557DPA-00#J0TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363
  详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 10V 35mA 8GHz 200mW Surface Mount 6-SO
  
  型号：UPA800T-T1
  仓库库存编号：UPA800TCT-ND
  别名：UPA800T
  UPA800T-ND
  UPA800TCT
  UPA800TT1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE PIN SWITCH 100V QFN 2X2
  详细描述：RF Diode PIN - 4 Pair Parallel 100V 2W 8-QFN (2x2)
  
  型号：HSMP-386J-TR2G
  仓库库存编号：HSMP-386J-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK1555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK1555DPA-00#J0TR-ND
  别名：RJK1555DPA-00#J0-ND
  RJK1555DPA-00#J0TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK9A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK9A45D(STA4QM)
  TK9A45DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS PNP DARL 150V 8A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 65MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SB1587
  仓库库存编号：2SB1587-ND
  别名：2SB1587 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN 800V 5A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 6MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SC4300
  仓库库存编号：2SC4300-ND
  别名：2SC4300 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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