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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A53D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A53D(STA4QM)-ND
  别名：TK6A53D(STA4QM)
  TK6A53DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK7A50D(STA4QM)
  TK7A50DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 56A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Ta） 168W（Tc） TO-220
  
  型号：TK56E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK56E12N1S1X-ND
  别名：TK56E12N1,S1X(S
  TK56E12N1S1X
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK20G60W,RVQ
  仓库库存编号：TK20G60WRVQCT-ND
  别名：TK20G60WRVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK1575DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK1575DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK1576DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK1576DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2165H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2165H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A65DA(STA4,QM)
  仓库库存编号：TK3A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A65DA(STA4QM)
  TK3A65DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS NPN 550V 5A TO3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 6MHz Through Hole TO-3P
  
  型号：2SC5287
  仓库库存编号：2SC5287-ND
  别名：2SC5287 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A60D(STA4QM)
  TK5A60DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2279H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2279H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2160H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2160H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8209-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-8209-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8209-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-8209-TR1G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS PNP 80V 6A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SA1907
  仓库库存编号：2SA1907-ND
  别名：2SA1907 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN DARL 150V 8A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SD2438
  仓库库存编号：2SD2438-ND
  别名：2SD2438 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 75W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：H5N2522LSTL-E
  仓库库存编号：H5N2522LSTL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：2SC3583-T1B-A
  仓库库存编号：2SC3583-T1B-ACT-ND
  别名：2SC3583-T1B-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-523
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 7GHz 100mW Surface Mount SOT-523
  
  型号：NE68119-T1-A
  仓库库存编号：NE68119-ACT-ND
  别名：NE68119-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68133-T1B-A
  仓库库存编号：NE68133-T1B-ACT-ND
  别名：NE68133-T1B-ACT
  
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• Sanken
  MOSFET N-CH 200V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3003
  仓库库存编号：2SK3003-ND
  别名：2SK3003 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V TO220S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Ta） 100W（Tc） TO-220S
  
  型号：2SK3710
  仓库库存编号：2SK3710-ND
  别名：2SK3710 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKV550T
  仓库库存编号：FKV550T-ND
  别名：FKV550T DK
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK5A65DA(STA4QM)
  TK5A65DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 38A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SJ661-DL-1E
  仓库库存编号：2SJ661-DL-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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