以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 20V SOT-23-3
  
  型号：HSMS-2813-BLKG
  仓库库存编号：516-2557-ND
  别名：516-2557
  HSMS-2813-BLKG-ND
  HSMS2813BLKG
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 600V 10A TO220F3
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220F-3FS
  
  型号：NGTB10N60FG
  仓库库存编号：NGTB10N60FG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 1.6W（Ta），70W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8055-H,LQ(M
  仓库库存编号：TPCA8055-HLQ(M-ND
  别名：TPCA8055-HLQ(M
  TPCA8055HLQM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8207-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-8207-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8207-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-8207-TR1G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A53D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A53D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A53D(STA4QM)
  TK5A53DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK6A50D(STA4QM)
  TK6A50DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A55D(STA4QM)
  TK5A55DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKV550N
  仓库库存编号：FKV550N-ND
  别名：FKV550N DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Ta） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK2075DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK2075DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK7A45DA(STA4QM)
  TK7A45DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS NPN DARL 120V 6A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 50MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SD2045
  仓库库存编号：2SD2045-ND
  别名：2SD2045 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 50V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：EKV550
  仓库库存编号：EKV550-ND
  别名：EKV550 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 38A
  详细描述：通孔 P 沟道 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-262-3
  
  型号：2SJ661-1E
  仓库库存编号：2SJ661-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  TRANS PNP 60V 12A TO220FN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80MHz Through Hole TO-220FN
  
  型号：2SA2007E
  仓库库存编号：2SA2007E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 2.5A TO-220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-220FP
  
  型号：BUL741FP
  仓库库存编号：497-12454-5-ND
  别名：497-12454-5
  BUL741FP-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 40.3W（Tc） TO-251
  
  型号：RJK6032DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6032DPH-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK2A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK2A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK2A65D(STA4QM)
  TK2A65DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Through Hole TO-220AB
  
  型号：TIP111-BP
  仓库库存编号：TIP111-BP-ND
  别名：TIP111BP
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M10TB
  仓库库存编号：SP8M10TBCT-ND
  别名：SP8M10TBCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8209-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-8209-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） TO-220-3
  
  型号：TK18E10K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK18E10K3S1X(S-ND
  别名：TK18E10K3S1X(S
  TK18E10K3S1XS
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 40W（Tc） LPTS
  
  型号：R5007ANJTL
  仓库库存编号：R5007ANJTL-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 20MHz Through Hole TO-220F-A1
  
  型号：2SB09490Q
  仓库库存编号：2SB09490Q-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK6A55DA(STA4QM)
  TK6A55DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索