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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK3A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A60DA(STA4QM)
  TK3A60DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60WRVQCT-ND
  别名：TK8P60WRVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0455DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0455DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0455DPB-00#J5-ND
  RJK0455DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0655DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0655DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0655DPB-00#J5-ND
  RJK0655DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0855DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0855DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
  RJK0855DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285P-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-285P-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A50D(STA4,Q,M)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2164H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2164H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） 5-LFPAK
  
  型号：HAT2261H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2261H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Ta） TO-220SIS
  
  型号：TK6A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK6A45DA(STA4QM)
  TK6A45DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI07174
  仓库库存编号：FKI07174-ND
  别名：FKI07174 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8207-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-8207-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SD2643
  仓库库存编号：2SD2643-ND
  别名：2SD2643 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP 60V 8A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP Through Hole TO-220AB
  
  型号：BD536
  仓库库存编号：497-7173-5-ND
  别名：497-7173-5
  BD536-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  TRIAC 800V 12A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 800V Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA412Y-800C,127
  仓库库存编号：1740-1386-ND
  别名：1740-1386
  568-5712
  568-5712-5
  568-5712-5-ND
  568-5712-ND
  934061314127
  BTA412Y-800C
  BTA412Y-800C,127-ND
  BTA412Y-800C-ND
  BTA412Y800C127
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 1W（Ta），30W（Tc） TO-251（MP-3）
  
  型号：2SK3484-AZ
  仓库库存编号：2SK3484-AZ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK2076DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK2076DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 600V 2A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSC5502TU
  仓库库存编号：KSC5502TU-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A50D(STA4QM)
  TK12A50DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2166H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2166H-EL-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0456DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0456DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0456DPB-00#J5-ND
  RJK0456DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0656DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0656DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0656DPB-00#J5-ND
  RJK0656DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0856DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0856DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0856DPB-00#J5-ND
  RJK0856DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1056DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1056DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1056DPB-00#J5-ND
  RJK1056DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2848
  仓库库存编号：2SK2848-ND
  别名：2SK2848 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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