以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 55A（Tc） 72W（Tc） TO-220
  
  型号：TK35E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK35E08N1S1X-ND
  别名：TK35E08N1,S1X(S
  TK35E08N1S1X
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 30V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263-3
  
  型号：SKI03021
  仓库库存编号：SKI03021CT-ND
  别名：SKI03021CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04024
  仓库库存编号：SKI04024CT-ND
  别名：SKI04024CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI06048
  仓库库存编号：SKI06048CT-ND
  别名：SKI06048CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI07074
  仓库库存编号：SKI07074CT-ND
  别名：SKI07074CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 66A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI10123
  仓库库存编号：SKI10123CT-ND
  别名：SKI10123CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286L-BLKG
  仓库库存编号：516-2852-ND
  别名：516-2852
  HSMS-286L-BLKG-ND
  HSMS286LBLKG
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN050N20FU6
  仓库库存编号：RDN050N20FU6-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 5A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
  
  型号：2SD1060R-1E
  仓库库存编号：2SD1060R-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 5A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
  
  型号：2SD1060S-1E
  仓库库存编号：2SD1060S-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 8A I-PAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 50MHz 1.75W Through Hole I-Pak
  
  型号：KSH44H11ITU
  仓库库存编号：KSH44H11ITU-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS130N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS130N03FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285L-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-285L-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Bridge 20V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2817-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-2817-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 130A（Ta） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2766T1A-E1-AY
  仓库库存编号：UPA2766T1A-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Ta） 45W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK03M1DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK03M1DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8K4FU6TB
  仓库库存编号：SP8K4FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 8WLCSP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.6W Surface Mount 8-WLCSP (6x2.5)
  
  型号：EFC4C002NLTDG
  仓库库存编号：EFC4C002NLTDG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1.6W（Ta），25W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCA8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCA8065-HLQ(S
  TPCA8065HLQS
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 50V 20A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 20A 140MHz 2W Through Hole TO-220F-3SG
  
  型号：2SA2210-1E
  仓库库存编号：2SA2210-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH140N03TB1
  仓库库存编号：RSH140N03TB1CT-ND
  别名：RSH140N03TB1CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPC8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPC8062-HLQ(CM
  TPC8062HLQCM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK6P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK6P60WRVQCT-ND
  别名：TK6P60WRVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6A（Ta） 65W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5033DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5033DPD-00#J2TR-ND
  别名：RJK5033DPD-00#J2-ND
  RJK5033DPD-00#J2TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN 18V 1A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 150MHz 1.2W Through Hole TO-126B-A1
  
  型号：2SC15680R
  仓库库存编号：2SC15680R-ND
  别名：2SC1568
  2SC1568-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索