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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 200V 0.07A TO-92L
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 70mA 80MHz 1W Through Hole TO-92
  
  型号：2SA08790Q
  仓库库存编号：2SA08790Q-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 15V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2829-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-2829-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 80V 34A SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 34A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH8R008NHL1QCT-ND
  别名：TPH8R008NHL1QCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Ta） 60W（Tc） PW-MOLD2
  
  型号：TK2Q60D(Q)
  仓库库存编号：TK2Q60D(Q)-ND
  别名：TK2Q60DQ
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS 2NPN 10V 0.05A SMINI6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 10V 50mA 2.5GHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  
  型号：XP0553100L
  仓库库存编号：XP0553100LCT-ND
  别名：XP0553100LCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS125N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS125N03FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  TRIAC 800V 25A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 800V 25A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA425Y-800CTQ
  仓库库存编号：1740-1247-ND
  别名：1740-1247
  568-11664
  568-11664-ND
  934067374127
  BTA425Y-800CTQ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18.5A（Ta），66A（Tc） 2.64W（Ta）, 33.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4H07NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4H07NTWG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  BTA330Y-800CT/SIL3P/STANDARD M
  详细描述：TRIAC Standard 800V 30A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA330Y-800CTQ
  仓库库存编号：BTA330Y-800CTQ-ND
  别名：934069627127
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI04027
  仓库库存编号：EKI04027-ND
  别名：EKI04027 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN 10V 0.08A MINI-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 10V 80mA 6GHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
  
  型号：2SC382900L
  仓库库存编号：2SC382900LCT-ND
  别名：2SC382900LCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH100P03TB1
  仓库库存编号：RRH100P03TB1CT-ND
  别名：RRH100P03TB1CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 15V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2829-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-2829-TR1G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD100N20TL
  仓库库存编号：RCD100N20TL-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  BTA225B-800BT/D2PAK/REEL 13" Q
  详细描述：TRIAC Standard 800V 25A Surface Mount D2PAK
  
  型号：BTA225B-800BTJ
  仓库库存编号：BTA225B-800BTJ-ND
  别名：934069261118
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS075P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS075P03FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50D(STA4QM)
  TK8A50DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-262
  
  型号：N0434N-S23-AY
  仓库库存编号：N0434N-S23-AY-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 20A（Ta） 20W（Tc） TCPT3
  
  型号：RZY200P01TL
  仓库库存编号：RZY200P01TLCT-ND
  别名：RZY200P01TLCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0328DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0328DPB-01#J0TR-ND
  别名：RJK0328DPB-01#J0TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI06051
  仓库库存编号：EKI06051-ND
  别名：EKI06051 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI07076
  仓库库存编号：EKI07076-ND
  别名：EKI07076 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 66A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 66A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI10126
  仓库库存编号：EKI10126-ND
  别名：EKI10126 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 15V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2829-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-2829-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Ta） 65W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：RJK0346DPA-01#J0B
  仓库库存编号：RJK0346DPA-01#J0B-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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