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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P50D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P50D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P50DT6RSSQ
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V 75mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-8101-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-8101-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 60V 2A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150MHz Through Hole TO-126
  
  型号：2SA1096AQ
  仓库库存编号：2SA1096AQ-ND
  别名：2SA1096A
  2SA1096A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 50V 0.5A MT-1
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200MHz Through Hole MT-1-A1
  
  型号：2SB1321A0A
  仓库库存编号：2SB1321A0ACT-ND
  别名：2SB1321A
  2SB1321A0ACT
  2SB1321ACT
  2SB1321ACT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP113-TL-H
  仓库库存编号：869-1077-2-ND
  别名：869-1077-2
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M8FU6TB
  仓库库存编号：SP8M8FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 2V SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2855-BLKG
  仓库库存编号：516-1933-ND
  别名：516-1933
  HSMS-2855-BLKG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 2V SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2855-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-2855-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 2V SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2855-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-2855-TR1G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0451DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0451DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0451DPB-00#J5-ND
  RJK0451DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0851DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0851DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0851DPB-00#J5-ND
  RJK0851DPB-00#J5TR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1051DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1051DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK1051DPB-00#J5CT
  RJK1051DPB00J5
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 400V, 4A, 8A/A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-251 (IPAK)
  
  型号：TSC5304EDCHC5G
  仓库库存编号：TSC5304EDCHC5G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8K2FU6TB
  仓库库存编号：SP8K2FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD060N25TL
  仓库库存编号：RCD060N25TL-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD075N20TL
  仓库库存编号：RCD075N20TL-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH090P03TB1
  仓库库存编号：RRH090P03TB1-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta），30W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G180MNTB
  仓库库存编号：RS1G180MNTB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 2V SOT-323
  
  型号：HSMS-285C-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-285C-TR2G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  BTA425X-800BT/L02/TO-220F/STAN
  详细描述：TRIAC Standard 800V Through Hole TO-220F
  
  型号：BTA425X-800BT/L02Q
  仓库库存编号：BTA425X-800BT/L02Q-ND
  别名：934069279127
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P53D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P53D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P53DT6RSSQ
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS100N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS100N03FU6TB-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V 75mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-8101-BLKG
  仓库库存编号：516-1941-ND
  别名：516-1941
  HSMS-8101-BLKG-ND
  HSMS8101BLKG
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V 75mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-8101-TR1G
  仓库库存编号：516-1823-2-ND
  别名：516-1823-2
  HSMS-8101-TR1G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 116W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04033
  仓库库存编号：SKI04033CT-ND
  别名：SKI04033CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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