以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 20A 101W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 101W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4064DPBF
  仓库库存编号：IRGS4064DPBF-ND
  别名：SP001533052
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247
  详细描述：IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4069-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4069-EPBF-ND
  别名：SP001545038
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 108V 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN8R5-108ESQ
  仓库库存编号：568-11432-5-ND
  别名：568-11432-5
  934068134127
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 55A TO247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 55A 210W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH35U-EP
  仓库库存编号：IRG7PH35U-EP-ND
  别名：SP001549426
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 108A TO247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 130A 469W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH46U-EP
  仓库库存编号：IRG7PH46U-EP-ND
  别名：SP001537550
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R5-40EJ
  仓库库存编号：BUK761R5-40EJ-ND
  别名：934067767118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3206TRL
  仓库库存编号：AUIRFS3206TRLCT-ND
  别名：AUIRFS3206TRLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRL3705ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRL3705ZSTRLCT-ND
  别名：AUIRL3705ZSTRLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1000V 55A 210W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 1000V 55A 210W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PG35U-EPBF
  仓库库存编号：IRG7PG35U-EPBF-ND
  别名：SP001541474
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1000V 55A 210W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1000V 55A 210W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PG35UPBF
  仓库库存编号：IRG7PG35UPBF-ND
  别名：SP001541454
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4690D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4690D-EPBF-ND
  别名：SP001545146
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4690DPBF
  仓库库存编号：IRGP4690DPBF-ND
  别名：SP001534080
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 51.5A（Tc） 46W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：PSMN7R6-60XSQ
  仓库库存编号：568-12475-ND
  别名：568-12475
  934069171127
  PSMN7R6-60XS,127
  PSMN7R6-60XSQ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7437TRLPBF
  仓库库存编号：IRFSL7437TRLPBF-ND
  别名：SP001567740
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE 600V 40A D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4640DTRLPBF
  仓库库存编号：IRGS4640DTRLPBF-ND
  别名：SP001535922
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE 600V 24A D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4640DTRRPBF
  仓库库存编号：IRGS4640DTRRPBF-ND
  别名：SP001541990
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE 600V 40A TO-220
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-220AC
  
  型号：IRGB4640DPBF
  仓库库存编号：IRGB4640DPBF-ND
  别名：SP001548212
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE 600V 40A D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4640DPBF
  仓库库存编号：IRGS4640DPBF-ND
  别名：SP001540982
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE 600V 24A COPAK-262
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-262
  
  型号：IRGSL4640DPBF
  仓库库存编号：IRGSL4640DPBF-ND
  别名：SP001535882
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S204AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N04S204AKSA2-ND
  别名：SP001063632
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA2-ND
  别名：SP001063638
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S205AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N06S205AKSA2-ND
  别名：SP001067938
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S2H4AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N04S2H4AKSA2-ND
  别名：SP001061288
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA2-ND
  别名：SP001067882
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S4L30ATMA1
  仓库库存编号：IPD25N06S4L30ATMA1CT-ND
  别名：IPD25N06S4L-30CT
  IPD25N06S4L-30CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索