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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 46A（Ta），375A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7739L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7739L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7739L2TR1PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7749L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7749L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7749L2TR1PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 26A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7759L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7759L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7759L2TR1PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7769L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7769L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7769L2TR1PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7779L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7779L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7779L2TR1PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 375A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7799L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7799L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7799L2TR1PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc）
  
  型号：IPP023NE7N3 G
  仓库库存编号：IPP023NE7N3 GCT-ND
  别名：IPP023NE7N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7213-40A,118
  仓库库存编号：BUK7213-40A,118-ND
  别名：934058199118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N04S3-02
  仓库库存编号：IPB120N04S3-02CT-ND
  别名：IPB120N04S3-02CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70N04S3-07
  仓库库存编号：IPB70N04S3-07CT-ND
  别名：IPB70N04S3-07CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N04S3-07
  仓库库存编号：IPD70N04S3-07CT-ND
  别名：IPD70N04S3-07CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N03M G
  仓库库存编号：IPD031N03M GINCT-ND
  别名：IPD031N03M GINCT
  IPD031N03MG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 45A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7524-55,127
  仓库库存编号：BUK7524-55,127-ND
  别名：934045180127
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 34A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9535-55,127
  仓库库存编号：BUK9535-55,127-ND
  别名：934050420127
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD18NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD18NQ10T,118-ND
  别名：934055700118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7628-100A/C,118
  仓库库存编号：BUK7628-100A/C,118-ND
  别名：934060683118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9240-100A/C1,11
  仓库库存编号：BUK9240-100A/C1,11-ND
  别名：934061623118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） 77W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9237-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9237-55A/C1,118-ND
  别名：934061634118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 103W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9222-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9222-55A/C1,118-ND
  别名：934061635118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S402ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-02
  IPB120N06S4-02-ND
  SP000415560
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-03
  IPB120N06S4-03-ND
  SP000415558
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-H1
  IPB120N06S4-H1-ND
  SP000396274
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N06S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
  别名：IPB180N06S4-H1
  IPB180N06S4-H1-ND
  SP000415562
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S409ATMA1
  仓库库存编号：IPB45N06S409ATMA1TR-ND
  别名：IPB45N06S4-09
  IPB45N06S4-09-ND
  SP000374315
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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