规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU64CN10N G
仓库库存编号:
IPU64CN10N G-ND
别名:SP000209097
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU78CN10N G
仓库库存编号:
IPU78CN10N G-ND
别名:SP000209098
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名:SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PGHKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PGHKSA1-ND
别名:SP000212313
SPP15P10P G
SPP15P10P G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PLGHKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PLGHKSA1-ND
别名:SP000212234
SPP15P10PL G
SPP15P10PL G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRF1324LPBF
仓库库存编号:
IRF1324LPBF-ND
别名:SP001564274
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3307ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB3307ZGPBF-ND
别名:SP001551736
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4321GPBF
仓库库存编号:
IRFB4321GPBF-ND
别名:SP001556020
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Ta) 380W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3004PBF
仓库库存编号:
IRFSL3004PBF-ND
别名:SP001578466
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 195A(Tc) 370W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3107PBF
仓库库存编号:
IRFSL3107PBF-ND
别名:SP001557588
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 100W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4020PBF
仓库库存编号:
IRFSL4020PBF-ND
别名:SP001565208
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4115PBF
仓库库存编号:
IRFSL4115PBF-ND
别名:SP001573516
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4615PBF
仓库库存编号:
IRFSL4615PBF-ND
别名:SP001557598
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRLSL3034PBF
仓库库存编号:
IRLSL3034PBF-ND
别名:SP001558586
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 143W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3636PBF
仓库库存编号:
IRLU3636PBF-ND
别名:SP001567320
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1324STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1324STRLPBFCT-ND
别名:IRF1324STRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8513TRPBF
仓库库存编号:
IRF8513TRPBFCT-ND
别名:IRF8513TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404ZGPBF
仓库库存编号:
IRF1404ZGPBF-ND
别名:SP001553874
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004GPBF
仓库库存编号:
IRFB3004GPBF-ND
别名:SP001563908
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.1A(Ta),14.4A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
IRF7665S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7665S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7665S2TR1PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 45A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7226-75A/C1,118
仓库库存编号:
BUK7226-75A/C1,118-ND
别名:934061629118
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6630-5-ND
别名:568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
BUK9213-30A,118
仓库库存编号:
BUK9213-30A,118-ND
别名:934057315118
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 61A(Ta),270A(Tc) 4.3W(Ta),83W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF6718L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6718L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6718L2TR1PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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