规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CNE8N G
仓库库存编号：
IPD12CNE8N G-ND
别名：SP000096477
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名：IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号：
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名：IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD160N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD160N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD160N04L G
IPD160N04L G-ND
SP000387933
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CN10N G
仓库库存编号：
IPD16CN10N G-ND
别名：SP000096454
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CNE8N G
仓库库存编号：
IPD16CNE8N G-ND
别名：SP000096455
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD170N04NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD170N04NGBTMA1TR-ND
别名：IPD170N04N G
IPD170N04N G-ND
SP000388297
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CNE8N G
仓库库存编号：
IPD25CNE8N G-ND
别名：SP000096457
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号：
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名：IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号：
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名：IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S223ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD33CN10N G
IPD33CN10N G-ND
SP000096458
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD49CN10N G
仓库库存编号：
IPD49CN10N G-ND
别名：SP000096459
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S214ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S214ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14-ND
SP000252171
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD64CN10N G
仓库库存编号：
IPD64CN10N G-ND
别名：SP000104810
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80N06S3-09
仓库库存编号：
IPD80N06S3-09-ND
别名：SP000264473
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI024N06N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI024N06N3GHKSA1-ND
别名：IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-ND
SP000451486
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI030N10N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI030N10N3GHKSA1-ND
别名：IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
SP000469884
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI032N06N3 G
仓库库存编号：
IPI032N06N3 G-ND
别名：SP000451490
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N06L3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI037N06L3GHKSA1-ND
别名：IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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