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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2-05-ND
  别名：SP000012473
  SPP80N06S205
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2-07-ND
  别名：SP000013579
  SPP80N06S207
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-08
  仓库库存编号：SPP80N06S2-08-ND
  别名：SP000012822
  SPP80N06S208
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2-09-ND
  别名：SP000013583
  SPP80N06S209
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-H5
  仓库库存编号：SPP80N06S2-H5-ND
  别名：SP000014000
  SPP80N06S2H5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-05-ND
  别名：SP000012474
  SPP80N06S2L05
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013576
  SPP80N06S2L06
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-07-ND
  别名：SP000012823
  SPP80N06S2L07
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013580
  SPP80N06S2L09
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013584
  SPP80N06S2L11
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000014001
  SPP80N06S2LH5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N08S2-07
  仓库库存编号：SPP80N08S2-07-ND
  别名：SP000012475
  SPP80N08S207
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N08S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N08S2L-07-ND
  别名：SP000012476
  SPP80N08S2L07
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N10L
  仓库库存编号：SPP80N10L-ND
  别名：SP000014349
  SPP80N10LX
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU11N10
  仓库库存编号：SPU11N10-ND
  别名：SP000013848
  SPU11N10X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2-08
  仓库库存编号：SPU30N03S2-08-ND
  别名：SP000014129
  SPU30N03S208X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU30P06P
  仓库库存编号：SPU30P06PIN-ND
  别名：SP000012844
  SPU30P06P-ND
  SPU30P06PIN
  SPU30P06PX
  SPU30P06PXK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB03N03LA G
  仓库库存编号：IPB03N03LAGINCT-ND
  别名：IPB03N03LAG
  IPB03N03LAGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB048N06LGATMA1
  仓库库存编号：IPB048N06LGATMA1CT-ND
  别名：IPB048N06LG
  IPB048N06LGINCT
  IPB048N06LGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB04N03LA G
  仓库库存编号：IPB04N03LAGINCT-ND
  别名：IPB04N03LAG
  IPB04N03LAGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB050N06NGATMA1
  仓库库存编号：IPB050N06NGATMA1CT-ND
  别名：IPB050N06NG
  IPB050N06NGINCT
  IPB050N06NGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LB G
  仓库库存编号：IPB05N03LBGINCT-ND
  别名：IPB05N03LBG
  IPB05N03LBGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB070N06L G
  仓库库存编号：IPB070N06LGINCT-ND
  别名：IPB070N06LG
  IPB070N06LGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB085N06L G
  仓库库存编号：IPB085N06LGINCT-ND
  别名：IPB085N06LG
  IPB085N06LGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3-04
  仓库库存编号：IPB100N06S3-04INCT-ND
  别名：IPB100N06S3-04INCT
  IPB100N06S304
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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