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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD26N06S2L-35
  仓库库存编号：SPD26N06S2L-35-ND
  别名：SP000013570
  SPD26N06S2L35T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-15
  仓库库存编号：SPD30N06S2-15-ND
  别名：SP000012477
  SPD30N06S215T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-13-ND
  别名：SP000012478
  SPD30N06S2L13T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-23-ND
  别名：SP000013127
  SPD30N06S2L23T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2-22
  仓库库存编号：SPD30N08S2-22-ND
  别名：SP000013153
  SPD30N08S222T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2L-21
  仓库库存编号：SPD30N08S2L-21-ND
  别名：SP000013152
  SPD30N08S2L21T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2-07
  仓库库存编号：SPD50N03S2-07-ND
  别名：SP000016253
  SP000077579
  SPD50N03S207XT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD50N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD50N06S2L-13-ND
  别名：SP000013568
  SPD50N06S2L13T
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2-03-ND
  别名：SP000013492
  SPI100N03S203X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10
  仓库库存编号：SPI10N10-ND
  别名：SP000013846
  SPI10N10X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10L
  仓库库存编号：SPI10N10L-ND
  别名：SP000013850
  SPI10N10LX
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI21N10
  仓库库存编号：SPI21N10IN-ND
  别名：SP000013843
  SPI21N10-ND
  SPI21N10IN
  SPI21N10X
  SPI21N10XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI35N10
  仓库库存编号：SPI35N10-ND
  别名：SP000013852
  SPI35N10X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPI42N03S2L-13-ND
  别名：SP000013897
  SPI42N03S2L13X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI47N10
  仓库库存编号：SPI47N10-ND
  别名：SP000013951
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI47N10L
  仓库库存编号：SPI47N10L-ND
  别名：SP000013952
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI70N10L
  仓库库存编号：SPI70N10L-ND
  别名：SP000014005
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPI73N03S2L-08-ND
  别名：SP000016263
  SPI73N03S2L08X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2-03-ND
  别名：SP000016262
  SPI80N03S203X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016261
  SPI80N03S2L03X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013903
  SPI80N03S2L04X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-05
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-05-ND
  别名：SP000016266
  SPI80N03S2L05X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-06-ND
  别名：SP000016265
  SPI80N03S2L06X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N04S2-04
  仓库库存编号：SPI80N04S2-04-ND
  别名：SP000015085
  SPI80N04S204
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S-08
  仓库库存编号：SPI80N06S-08-ND
  别名：SP000054055
  SP000084809
  SPI80N06S08
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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