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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-05 G-ND
别名:SP000200144
SPB80N03S2L05GXT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名:SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-04
仓库库存编号:
SPB80N04S2-04-ND
别名:SP000016353
SPB80N04S204T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-H4
仓库库存编号:
SPB80N04S2-H4-ND
别名:SP000016358
SPB80N04S2H4T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N04S2L-03-ND
别名:SP000016354
SPB80N04S2L03T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S08ATMA1
仓库库存编号:
SPB80N06S08ATMA1TR-ND
别名:SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2-05-ND
别名:SP000016351
SPB80N06S205T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2-07-ND
别名:SP000013578
SPB80N06S207T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-08
仓库库存编号:
SPB80N06S2-08-ND
别名:SP000016356
SPB80N06S208T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2-09-ND
别名:SP000013581
SPB80N06S209T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2-H5-ND
别名:SP000013795
SPB80N06S2H5T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-06-ND
别名:SP000013577
SPB80N06S2L06T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-07-ND
别名:SP000016357
SPB80N06S2L07T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-09-ND
别名:SP000013582
SPB80N06S2L09T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-11-ND
别名:SP000013586
SPB80N06S2L11T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2-07-ND
别名:SP000016355
SPB80N08S207T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80P06P
仓库库存编号:
SPB80P06P-ND
别名:SP000012841
SPB80P06PT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 25A(Tc) 75W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD22N08S2L-50
仓库库存编号:
SPD22N08S2L-50-ND
别名:SP000013910
SPD22N08S2L50T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD25N06S2-40
仓库库存编号:
SPD25N06S2-40-ND
别名:SP000013572
SPD25N06S240T
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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