规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(24943)
电路保护
(14315)
分立半导体产品
(10623)
集成电路（IC）
(5)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(10)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(338)
Bourns Inc.(25)
Comchip Technology(24)
Diodes Incorporated(398)
Fairchild/Micross Components(1270)
Fairchild/ON Semiconductor(278)
GeneSiC Semiconductor(5)
Global Power Technologies Group(10)
Infineon Technologies(3085)
IXYS(555)
Littelfuse Inc.(3215)
M/A-Com Technology Solutions(5)
Micro Commercial Co(823)
Microsemi Corporation(1203)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(589)
Nexperia USA Inc.(712)
NXP USA Inc.(277)
ON Semiconductor(489)
Skyworks Solutions Inc.(17)
SMC Diode Solutions(74)
STMicroelectronics(826)
Taiwan Semiconductor Corporation(5795)
Texas Instruments(32)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(416)
Vishay Beyschlag(2196)
Vishay Electro-Films(934)
Vishay Huntington Electric Inc.(325)
Vishay Semiconductor Diodes Division(127)
Vishay Semiconductor Opto Division(76)
Vishay Sfernice(139)
Vishay Siliconix(524)
Vishay Spectrol(67)
Vishay Sprague(19)
Vishay Thin Film(27)
Vishay Vitramon(28)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TRL
仓库库存编号：
IRFR6215TRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TR
仓库库存编号：
IRFR6215TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TRR
仓库库存编号：
IRFR6215TRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号：
IRFS41N15DTRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） TO-262
型号：
IRFSL41N15D
仓库库存编号：
IRFSL41N15D-ND
别名：*IRFSL41N15D
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ESTRL
仓库库存编号：
IRFZ44ESTRL-ND
别名：SP001552444
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ44NSTRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号：
IRFZ46NSTRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004STRL
仓库库存编号：
IRL1004STRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004STRR
仓库库存编号：
IRL1004STRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104STRL
仓库库存编号：
IRL1104STRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104STRR
仓库库存编号：
IRL1104STRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203NSTRR
仓库库存编号：
IRL2203NSTRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2505STRL
仓库库存编号：
IRL2505STRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2505STRR
仓库库存编号：
IRL2505STRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2703STRL
仓库库存编号：
IRL2703STRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2703STRR
仓库库存编号：
IRL2703STRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2910STRL
仓库库存编号：
IRL2910STRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3103STRR
仓库库存编号：
IRL3103STRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3303D1
仓库库存编号：
IRL3303D1-ND
别名：*IRL3303D1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1S
仓库库存编号：
IRL3303D1S-ND
别名：*IRL3303D1S
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
930
931
932
933
934
935
936
937
938
939
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
