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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRL
仓库库存编号:
IRF520NSTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRR
仓库库存编号:
IRF520NSTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSTRL
仓库库存编号:
IRF9520NSTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSTRR
仓库库存编号:
IRF9520NSTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NSTRR
仓库库存编号:
IRF9530NSTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 75V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI2807
仓库库存编号:
IRFI2807-ND
别名:*IRFI2807
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024NTRR
仓库库存编号:
IRFR024NTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRL
仓库库存编号:
IRFR1205TRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRR
仓库库存编号:
IRFR1205TRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRR
仓库库存编号:
IRFR3910TRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRL
仓库库存编号:
IRFR4105TRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TR
仓库库存编号:
IRFR4105TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRR
仓库库存编号:
IRFR4105TRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRL
仓库库存编号:
IRFR5305TRL-ND
别名:SP001557064
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRR
仓库库存编号:
IRFR5305TRR-ND
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