规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3705NSTRL
仓库库存编号：
IRL3705NSTRL-ND
别名：SP001571922
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3803STRL
仓库库存编号：
IRL3803STRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NS
仓库库存编号：
IRL520NS-ND
别名：*IRL520NS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRL
仓库库存编号：
IRL520NSTRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRL530NL
仓库库存编号：
IRL530NL-ND
别名：*IRL530NL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRL
仓库库存编号：
IRL530NSTRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRR
仓库库存编号：
IRL530NSTRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TR
仓库库存编号：
IRLR3103TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TR
仓库库存编号：
IRLR3303TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU024N
仓库库存编号：
IRLU024N-ND
别名：*IRLU024N
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2703
仓库库存编号：
IRLU2703-ND
别名：*IRLU2703
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3303
仓库库存编号：
IRLU3303-ND
别名：*IRLU3303
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NS
仓库库存编号：
IRLZ24NS-ND
别名：*IRLZ24NS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NS
仓库库存编号：
IRLZ34NS-ND
别名：*IRLZ34NS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44NSTRR
仓库库存编号：
IRLZ44NSTRR-ND
别名：SP001574180
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NSTRR
仓库库存编号：
IRLZ34NSTRR-ND
别名：Q971401
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF5305STRR
仓库库存编号：
IRF5305STRR-ND
别名：Q971401A
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
94-2110
仓库库存编号：
94-2110-ND
别名：*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706S
仓库库存编号：
IRF3706S-ND
别名：*IRF3706S
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707S
仓库库存编号：
IRF3707S-ND
别名：*IRF3707S
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20D
仓库库存编号：
IRFS17N20D-ND
别名：*IRFS17N20D
SP001557226
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS23N15D
仓库库存编号：
IRFS23N15D-ND
别名：*IRFS23N15D
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS23N20D
仓库库存编号：
IRFS23N20D-ND
别名：*IRFS23N20D
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS33N15D
仓库库存编号：
IRFS33N15D-ND
别名：*IRFS33N15D
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL31N20D
仓库库存编号：
IRFSL31N20D-ND
别名：*IRFSL31N20D
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