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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC P600
  
  型号：5KP6.5A-E3/51
  仓库库存编号：5KP6.5A-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 7VWM 12VC P600
  
  型号：5KP7.0A-E3/51
  仓库库存编号：5KP7.0A-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC P600
  
  型号：5KP7.5A-E3/51
  仓库库存编号：5KP7.5A-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 8VWM 13.6VC P600
  
  型号：5KP8.0A-E3/51
  仓库库存编号：5KP8.0A-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 220A（Tc） 283W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB5860NT4G
  仓库库存编号：NVB5860NT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB6413ANT4G
  仓库库存编号：NVB6413ANT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4805NT4G
  仓库库存编号：NVD4805NT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4808NT4G
  仓库库存编号：NVD4808NT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4809NHT4G
  仓库库存编号：NVD4809NHT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4809NT4G
  仓库库存编号：NVD4809NT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4813NHT4G
  仓库库存编号：NVD4813NHT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 10A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.5A（Ta），10A（Tc） 2.1W（Ta），28.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD474B
  仓库库存编号：AOD474B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
  
  型号：SM8S10AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S10AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB
  
  型号：SM8S10HE3/2E
  仓库库存编号：SM8S10HE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO218AB
  
  型号：SM8S13AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S13AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 20VWM 35.8VC DO218AB
  
  型号：SM8S20HE3/2E
  仓库库存编号：SM8S20HE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO218AB
  
  型号：SM8S24AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S24AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB
  
  型号：SM8S26AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S26AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 26VWM 46.6VC DO218AB
  
  型号：SM8S26HE3/2E
  仓库库存编号：SM8S26HE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AB
  
  型号：SM8S28AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S28AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
  
  型号：SM8S30AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S30AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
  
  型号：SM8S33AHE3/2E
  仓库库存编号：SM8S33AHE3/2E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G-PKG
  
  型号：JAN1N5611
  仓库库存编号：1086-15220-ND
  别名：1086-15220-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 20VWM 33.2VC DO-13
  
  型号：JANTX1N6048A
  仓库库存编号：1086-15423-ND
  别名：1086-15423-MIL
  Q9147133
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC G-PKG
  
  型号：JANTX1N6157
  仓库库存编号：1086-15425-ND
  别名：1086-15425-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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