规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
详细描述:JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
型号:
2N4119A-E3
仓库库存编号:
2N4119A-E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
详细描述:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4338
仓库库存编号:
2N4338-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
详细描述:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4338-2
仓库库存编号:
2N4338-2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
详细描述:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4338-E3
仓库库存编号:
2N4338-E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
详细描述:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4339
仓库库存编号:
2N4339-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
详细描述:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4339-2
仓库库存编号:
2N4339-2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
详细描述:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4339-E3
仓库库存编号:
2N4339-E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ962EP-T1-GE3
仓库库存编号:
SQJ962EP-T1-GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 70V 80UA SOT-23
详细描述:JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23
型号:
SST4118-T1-E3
仓库库存编号:
SST4118-T1-E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 70V 200UA SOT-23
详细描述:JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount TO-236
型号:
SST4119-T1-E3
仓库库存编号:
SST4119-T1-E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 10W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
SUD50N03-06AP-T4E3
仓库库存编号:
SUD50N03-06AP-T4E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
RECT BRIDGE 1A 200V
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Surface Mount 2320
型号:
CD2320-B1200
仓库库存编号:
CD2320-B1200-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
RECT BRIDGE 1A 1000V
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Surface Mount 2320
型号:
CD2320-B1800
仓库库存编号:
CD2320-B1800-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD13AN06A0_F085-5-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 118W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8453LZ_F085
仓库库存编号:
FDD8453LZ_F085-5-ND
别名:FDD8453LZ_F085-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO218AB
型号:
SM8S24AHE3/2D
仓库库存编号:
SM8S24AHE3/2DGICT-ND
别名:SM8S24AHE3/2DGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
型号:
SM8S30AHE3/2D
仓库库存编号:
SM8S30AHE3/2DGICT-ND
别名:SM8S30AHE3/2DGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 23A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-251A
型号:
AOI530
仓库库存编号:
785-1649-5-ND
别名:785-1649-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2319ES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2319ES-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 214VWM 344VC AXIAL
型号:
1.5KE250CA-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE250CA-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 300VWM 482VC AXIAL
型号:
1.5KE350CA-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE350CA-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 342VWM 548VC AXIAL
型号:
1.5KE400CA-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE400CA-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 376VWM 602VC AXIAL
型号:
1.5KE440CA-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE440CA-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
型号:
5KP5.0A-E3/51
仓库库存编号:
5KP5.0A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 6VWM 10.3VC P600
型号:
5KP6.0A-E3/51
仓库库存编号:
5KP6.0A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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