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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 29.7VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6156A
  仓库库存编号：1N6156A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC SQMELF
  
  型号：1N6157AUS
  仓库库存编号：1N6157AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 35.8VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6158A
  仓库库存编号：1N6158A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 51.7VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6162A
  仓库库存编号：1N6162A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 62.2VWM SQMELF
  
  型号：1N6164AUS
  仓库库存编号：1N6164AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 69.2VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6165A
  仓库库存编号：1N6165A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6166A
  仓库库存编号：1N6166A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 86.6VWM SQMELF
  
  型号：1N6167AUS
  仓库库存编号：1N6167AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6170A
  仓库库存编号：1N6170A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 152VWM 273VC BPKG AXL
  
  型号：1N6173A
  仓库库存编号：1N6173A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL
  
  型号：1N6461
  仓库库存编号：1N6461-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 41.4VC BMELF
  
  型号：1N6465US
  仓库库存编号：1N6465US-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 9VC GPKG AXIAL
  
  型号：1N6469
  仓库库存编号：1N6469-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL
  
  型号：1N6474
  仓库库存编号：1N6474-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF
  
  型号：1N6476US
  仓库库存编号：1N6476US-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE PWR MOD BRIDGE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 10A Through Hole VJ
  
  型号：VJ848M
  仓库库存编号：VJ848M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB8132_F085
  仓库库存编号：FDB8132_F085CT-ND
  别名：FDB8132_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4117A
  仓库库存编号：2N4117A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4117A-2
  仓库库存编号：2N4117A-2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4117A-E3
  仓库库存编号：2N4117A-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4118A
  仓库库存编号：2N4118A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4118A-2
  仓库库存编号：2N4118A-2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4118A-E3
  仓库库存编号：2N4118A-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4119A
  仓库库存编号：2N4119A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4119A-2
  仓库库存编号：2N4119A-2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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