规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 160VWM 271.95VC P600
型号:
3KP160C-B
仓库库存编号:
3KP160C-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 170VWM 275VC P600
型号:
3KP170CA-B
仓库库存编号:
3KP170CA-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 170VWM 288.75VC P600
型号:
3KP170-B
仓库库存编号:
3KP170-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 16VWM 26VC P600
型号:
3KP16CA-B
仓库库存编号:
3KP16CA-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 16VWM 26VC P600
型号:
3KP16A-B
仓库库存编号:
3KP16A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 16VWM 27.3VC P600
型号:
3KP16-B
仓库库存编号:
3KP16-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 16VWM 27.3VC P600
型号:
3KP16C-B
仓库库存编号:
3KP16C-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 190VWM 325.5VC P600
型号:
3KP190-B
仓库库存编号:
3KP190-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 48VWM 81.27VC P600
型号:
3KP48C-B
仓库库存编号:
3KP48C-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 180VWM 303.45VC P600
型号:
3KP180-B
仓库库存编号:
3KP180-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 180VWM 303.45VC P600
型号:
3KP180C-B
仓库库存编号:
3KP180C-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 18VWM 30.66VC P600
型号:
3KP18-B
仓库库存编号:
3KP18-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 18VWM 29.2VC P600
型号:
3KP18A-B
仓库库存编号:
3KP18A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R3-30C,127
仓库库存编号:
BUK653R3-30C,127-ND
别名:934065858127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R3-30E,118
仓库库存编号:
568-9564-1-ND
别名:568-9564-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R4-30E,118
仓库库存编号:
568-9568-1-ND
别名:568-9568-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) DPAK
型号:
NTD4806NT4G
仓库库存编号:
NTD4806NT4GOSCT-ND
别名:NTD4806NT4GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.3A(Ta),54A(Tc) 1.38W(Ta),37.5W(Tc) DPAK
型号:
NTD4906NT4G
仓库库存编号:
NTD4906NT4GOSCT-ND
别名:NTD4906NT4GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 125W DPAK
详细描述:IGBT 390V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号:
NGD8205NT4G
仓库库存编号:
NGD8205NT4GOSCT-ND
别名:NGD8205NT4GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 12A(Ta) 55W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD2955PT4G
仓库库存编号:
NTD2955PT4GOSCT-ND
别名:NTD2955PT4GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.9A(Ta),35A(Tc) 1.26W(Ta),32.6W(Tc) DPAK
型号:
NVD4815NT4G
仓库库存编号:
NVD4815NT4G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 221W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7108-40AIE,118
仓库库存编号:
568-9629-1-ND
别名:568-9629-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7609-55A,118
仓库库存编号:
568-9646-1-ND
别名:568-9646-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9609-55A,118
仓库库存编号:
568-9675-1-ND
别名:568-9675-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-251A
型号:
AOI508
仓库库存编号:
785-1457-5-ND
别名:785-1457-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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