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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 30VWM 53.5VC DO218AB
  
  型号：SM8S30HE3/2D
  仓库库存编号：SM8S30HE3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 33VWM 63.3VC DO218AB
  
  型号：SM8S33HE3/2D
  仓库库存编号：SM8S33HE3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 36VWM 64.3VC DO218AB
  
  型号：SM8S36-E3/2D
  仓库库存编号：SM8S36-E3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 36VWM 64.3VC DO218AB
  
  型号：SM8S36HE3/2D
  仓库库存编号：SM8S36HE3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 71.4VC DO218AB
  
  型号：SM8S40-E3/2D
  仓库库存编号：SM8S40-E3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO218AB
  
  型号：SM8S40A-E3/2D
  仓库库存编号：SM8S40A-E3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO218AB
  
  型号：SM8S40AHE3/2D
  仓库库存编号：SM8S40AHE3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 71.4VC DO218AB
  
  型号：SM8S40HE3/2D
  仓库库存编号：SM8S40HE3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 43VWM 76.7VC DO218AB
  
  型号：SM8S43-E3/2D
  仓库库存编号：SM8S43-E3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 43VWM 76.7VC DO218AB
  
  型号：SM8S43HE3/2D
  仓库库存编号：SM8S43HE3/2D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 400V 35A MB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal MB-35
  
  型号：MB354-BP
  仓库库存编号：MB354-BP-ND
  别名：Q4590101A
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI040N06
  仓库库存编号：FDI040N06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP040N06
  仓库库存编号：FDP040N06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB039N06
  仓库库存编号：FDB039N06CT-ND
  别名：FDB039N06CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 345V 40A 176W D2PAK
  详细描述：IGBT 345V 40A 176W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB35N35LZT4
  仓库库存编号：497-10120-1-ND
  别名：497-10120-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH ISOPLUS-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 36A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC62N15P
  仓库库存编号：IXTC62N15P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO218AB
  
  型号：SM8S18A-E3/2D
  仓库库存编号：SM8S18A-E3/2DGICT-ND
  别名：SM8S18A-E3/2DGICT
  SM8S18AE32D
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4905NT4G
  仓库库存编号：NTD4905NT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 9.2A（Ta），49A（Tc） 1.27W（Ta），36.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4863NA-35G
  仓库库存编号：NTD4863NA-35G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906N-35G
  仓库库存编号：NTD4906N-35GOS-ND
  别名：NTD4906N-35G-ND
  NTD4906N-35GOS
  NTD4906N35G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906N-1G
  仓库库存编号：NTD4906N-1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-35G
  仓库库存编号：NTD4909N-35G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-1G
  仓库库存编号：NTD4909N-1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4905N-1G
  仓库库存编号：NTD4905N-1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4904N-35G
  仓库库存编号：NTD4904N-35G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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