规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 20A(Tc) 62W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9575-55A,127
仓库库存编号:
568-12103-5-ND
别名:568-12103-ND
934056258127
BUK9575-55A
BUK9575-55A,127-ND
BUK9575-55A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 90VWM 146VC AXIAL
型号:
15KP90A
仓库库存编号:
15KP90A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 90VWM 146VC AXIAL
型号:
15KP90CA
仓库库存编号:
15KP90CA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 35A(Tc) 49.5W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8580
仓库库存编号:
FDU8580-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 35A(Tc) 77W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8586
仓库库存编号:
FDU8586-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 35A(Tc) 49.5W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8580
仓库库存编号:
FDD8580CT-ND
别名:FDD8580CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 35A(Tc) 77W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8586
仓库库存编号:
FDD8586CT-ND
别名:FDD8586CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 28A(Ta),80A(Tc) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8442
仓库库存编号:
FDB8442CT-ND
别名:FDB8442CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 6.5A(Ta),2.7A(Tc) 3.7W(Ta),18W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8750
仓库库存编号:
FDD8750CT-ND
别名:FDD8750CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 440V 15A 150W D2PAK
详细描述:IGBT 440V 15A 150W Surface Mount D2PAK
型号:
MGB15N40CLT4
仓库库存编号:
MGB15N40CLT4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 440V 20A 150W D2PAK
详细描述:IGBT 440V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号:
NGB8202NT4
仓库库存编号:
NGB8202NT4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
详细描述:IGBT 430V 18A 115W Surface Mount D2PAK
型号:
NGB8204NT4
仓库库存编号:
NGB8204NT4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
详细描述:IGBT 430V 18A 115W Surface Mount D2PAK
型号:
NGB8204NT4G
仓库库存编号:
NGB8204NT4G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
详细描述:IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号:
NGB8206N
仓库库存编号:
NGB8206N-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
详细描述:IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号:
NGB8206NG
仓库库存编号:
NGB8206NG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
详细描述:IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号:
NGB8206NT4
仓库库存编号:
NGB8206NT4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 440V 20A 125W DPAK
详细描述:IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号:
NGD8201NT4
仓库库存编号:
NGD8201NT4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 125W DPAK
详细描述:IGBT 390V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号:
NGD8205NT4
仓库库存编号:
NGD8205NT4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 9.5A(Ta) 1.4W(Ta) 4-PLLP
型号:
NILMS4501NR2
仓库库存编号:
NILMS4501NR2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10
仓库库存编号:
NTB13N10-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10G
仓库库存编号:
NTB13N10G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06
仓库库存编号:
NTB18N06-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06G
仓库库存编号:
NTB18N06G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06L
仓库库存编号:
NTB18N06L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
型号:
NTB25P06
仓库库存编号:
NTB25P06-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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