规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520G
仓库库存编号:
IRFI9520G-ND
别名:*IRFI9520G
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRL510S
仓库库存编号:
IRL510S-ND
别名:*IRL510S
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 179A(Tc) 270W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA3803
仓库库存编号:
IRLBA3803-ND
别名:*IRLBA3803
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48R
仓库库存编号:
IRFZ48R-ND
别名:*IRFZ48R
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ14G
仓库库存编号:
IRLIZ14G-ND
别名:*IRLIZ14G
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ34G
仓库库存编号:
IRLIZ34G-ND
别名:*IRLIZ34G
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL11N50A
仓库库存编号:
IRFSL11N50A-ND
别名:*IRFSL11N50A
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) TO-262-3
型号:
IRF510L
仓库库存编号:
IRF510L-ND
别名:*IRF510L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRL
仓库库存编号:
IRF510STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRR
仓库库存编号:
IRF510STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520S
仓库库存编号:
IRF520S-ND
别名:*IRF520S
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRL
仓库库存编号:
IRF520STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRR
仓库库存编号:
IRF520STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRL
仓库库存编号:
IRF530STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9510L
仓库库存编号:
IRF9510L-ND
别名:*IRF9510L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRL
仓库库存编号:
IRF9510STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRR
仓库库存编号:
IRF9510STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9520L
仓库库存编号:
IRF9520L-ND
别名:*IRF9520L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRR
仓库库存编号:
IRF9520STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9530L
仓库库存编号:
IRF9530L-ND
别名:*IRF9530L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRR
仓库库存编号:
IRF9530STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 19A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9540L
仓库库存编号:
IRF9540L-ND
别名:*IRF9540L
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 19A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540STRR
仓库库存编号:
IRF9540STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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