规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1018E
仓库库存编号:
AUIRF1018E-ND
别名:SP001519520
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA029N06NXKSA1-ND
别名:SP001199858
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL5615PBF
仓库库存编号:
IRFSL5615PBF-ND
别名:SP001567730
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 600V IGBT
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 77W Through Hole I-Pak
型号:
AUIRGU4045D
仓库库存编号:
AUIRGU4045D-ND
别名:SP001511536
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N08S207AKSA1-ND
别名:IPP80N08S2-07
IPP80N08S2-07-ND
SP000219040
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名:SP000989104
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 179W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N08S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N08S404AKSA1-ND
别名:SP000989098
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102622
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S08AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N06S08AKSA1-ND
别名:SP000054054
SP000084810
SPP80N06S-08
SPP80N06S-08-ND
SPP80N06S08
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 78A 370W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL30B60KPBF
仓库库存编号:
IRGSL30B60KPBF-ND
别名:SP001541980
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1503STRLPBF-ND
别名:SP001550938
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 173A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7537PBF
仓库库存编号:
IRFSL7537PBF-ND
别名:SP001578438
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 76A(Tc) 125W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7787PBF
仓库库存编号:
IRFSL7787PBF-ND
别名:SP001576372
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 85A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 85A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7762PBF
仓库库存编号:
IRFSL7762PBF-ND
别名:SP001576382
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名:IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220
型号:
AUIRF4104
仓库库存编号:
AUIRF4104-ND
别名:SP001517252
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名:SP001519476
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503SPBF
仓库库存编号:
IRF1503SPBF-ND
别名:*IRF1503SPBF
SP001561632
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N10S3-05
仓库库存编号:
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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