以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） DIRECTFET? M4
  
  型号：AUIRL7766M2TR
  仓库库存编号：AUIRL7766M2TR-ND
  别名：SP001516036
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 167W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 600V 28A 167W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB8B60KPBF
  仓库库存编号：IRGB8B60KPBF-ND
  别名：*IRGB8B60KPBF
  SP001532694
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 59A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 59A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7746PBF
  仓库库存编号：IRFB7746PBF-ND
  别名：SP001556090
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 58A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：AUIRFN7110TR
  仓库库存编号：AUIRFN7110TR-ND
  别名：SP001517416
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S406ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S406ATMA1-ND
  别名：SP000984296
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3007PBF
  仓库库存编号：IRF3007PBF-ND
  别名：*IRF3007PBF
  SP001571144
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-220
  
  型号：AUIRFZ48Z
  仓库库存编号：AUIRFZ48Z-ND
  别名：SP001516066
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 260W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF8010STRLPBF
  仓库库存编号：IRF8010STRLPBFCT-ND
  别名：IRF8010STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N03S4L01ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N03S4L01ATMA1TR-ND
  别名：IPB180N03S4L-01
  IPB180N03S4L-01-ND
  SP000555002
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220
  
  型号：AUIRFZ44Z
  仓库库存编号：AUIRFZ44Z-ND
  别名：SP001520460
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  
  型号：AUIRLZ44ZL
  仓库库存编号：AUIRLZ44ZL-ND
  别名：SP001518950
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU540Z
  仓库库存编号：AUIRFU540Z-ND
  别名：SP001519728
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Ta），68A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） DIRECTFET? M4
  
  型号：AUIRF7648M2TR
  仓库库存编号：AUIRF7648M2TR-ND
  别名：SP001521562
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB065N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB065N10N3GATMA1-ND
  别名：SP001232588
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120P04P404AKSA1
  仓库库存编号：IPI120P04P404AKSA1-ND
  别名：SP000842274
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120P04P4L03AKSA1
  仓库库存编号：IPI120P04P4L03AKSA1-ND
  别名：SP000842296
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396316
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI47N10S33AKSA1
  仓库库存编号：IPI47N10S33AKSA1-ND
  别名：IPI47N10S-33
  IPI47N10S-33-ND
  SP000225703
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI47N10SL26AKSA1
  仓库库存编号：IPI47N10SL26AKSA1-ND
  别名：IPI47N10SL-26
  IPI47N10SL-26-ND
  SP000225704
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W DPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 77W Surface Mount TO-252AA
  
  型号：AUIRGR4045DTRL
  仓库库存编号：AUIRGR4045DTRL-ND
  别名：SP001511556
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU4104
  仓库库存编号：AUIRFU4104-ND
  别名：SP001518784
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFZ44ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRFZ44ZSTRL-ND
  别名：SP001519700
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 87A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3504
  仓库库存编号：AUIRF3504-ND
  别名：SP001521622
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP062NE7N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP062NE7N3GXKSA1-ND
  别名：IPP062NE7N3 G
  IPP062NE7N3 G-ND
  IPP062NE7N3G
  SP000819768
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180P04P403ATMA1
  仓库库存编号：IPB180P04P403ATMA1-ND
  别名：SP000840202
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索