规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名：IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号：
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名：SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZTRPBF-ND
别名：SP001578120
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N04S412AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N04S412AATMA1-ND
别名：SP000938098
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S409ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S409ATMA2-ND
别名：SP001028662
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
型号：
AUIRF7665S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7665S2TR-ND
别名：SP001519440
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名：IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S3-08
仓库库存编号：
IPD50N04S308ATMA1CT-ND
别名：IPD50N04S3-08CT
IPD50N04S3-08CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZTRLPBF-ND
别名：SP001567620
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC60N04S406ATMA1
仓库库存编号：
IPC60N04S406ATMA1-ND
别名：SP001121640
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名：SP001161210
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N10S4L35AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N10S4L35AATMA1-ND
别名：SP001091928
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名：IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711ZPBFTR-ND
别名：IRFR3711ZPBFTR
IRFR3711ZTRPBF-ND
IRFR3711ZTRPBFTR-ND
SP001557010
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号：
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名：SP001102936
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 70A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD70P04P4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD70P04P4L08ATMA1-ND
别名：SP000840206
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N06S2L50ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S2L50ATMA1TR-ND
别名：IPG20N06S2L-50
IPG20N06S2L-50-ND
SP000613728
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
IPB35N10S3L26ATMA1-ND
别名：SP000776044
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7540TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR7540TRLPBF-ND
别名：SP001565094
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S407ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA2-ND
别名：SP001028680
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZPBF-ND
别名：SP001555140
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名：SP001571424
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236957
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ215CHXTMA1
仓库库存编号：
BSZ215CHXTMA1-ND
别名：SP001277210
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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