规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JAN2N6059
仓库库存编号：
1086-21083-ND
别名：1086-21083
1086-21083-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG
型号：
1N5610
仓库库存编号：
1N5610-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227
型号：
APT80SM120J
仓库库存编号：
APT80SM120J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 40V 10A TO-33
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 10A 6W Surface Mount TO-204AA (TO-3)
型号：
JAN2N6383
仓库库存编号：
1086-21109-ND
别名：1086-21109
1086-21109-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JAN2N6384
仓库库存编号：
1086-21111-ND
别名：1086-21111
1086-21111-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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IXYS
DIODE SCHOTTKY 1200V ISOPLUS-5
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 6.6A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FBS10-12SC
仓库库存编号：
FBS10-12SC-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTX2N6384
仓库库存编号：
1086-21112-ND
别名：1086-21112
1086-21112-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTX2N6051
仓库库存编号：
1086-15533-ND
别名：1086-15533-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTX2N6059
仓库库存编号：
1086-21084-ND
别名：1086-21084
1086-21084-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 40V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTXV2N6383
仓库库存编号：
1086-21110-ND
别名：1086-21110
1086-21110-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTXV2N6384
仓库库存编号：
1086-21113-ND
别名：1086-21113
1086-21113-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTXV2N6385
仓库库存编号：
1086-21115-ND
别名：1086-21115
1086-21115-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 20A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT20DC120HJ
仓库库存编号：
APT20DC120HJ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 40A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT40DC60HJ
仓库库存编号：
APT40DC60HJ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTXV2N6051
仓库库存编号：
1086-21079-ND
别名：1086-21079
1086-21079-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTXV2N6058
仓库库存编号：
1086-21082-ND
别名：1086-21082
1086-21082-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTXV2N6059
仓库库存编号：
1086-21085-ND
别名：1086-21085
1086-21085-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC B-AXIAL
型号：
JANS1N6125A
仓库库存编号：
JANS1N6125A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Texas Instruments
IC REG BUCK ADJ 1A 20HTSSOP
详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.9V 1 输出 1A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
型号：
TPS54362HPWP
仓库库存编号：
296-43486-5-ND
别名：296-43486-5
TPS54362HPWP-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
详细描述：RF Diode PIN - Single 8000V 2A
型号：
GA01PNS80-220
仓库库存编号：
1242-1259-ND
别名：1242-1259
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236950
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名：SP000475916
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名：SP001063642
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD25N06S240ATMA2
仓库库存编号：
IPD25N06S240ATMA2-ND
别名：SP001063628
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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