规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 334A（Tc） 680W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F420N10T
仓库库存编号：
MMIX1F420N10T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 700V 49A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
型号：
APT70SM70J
仓库库存编号：
APT70SM70J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 29.7VWM 53.6VC CPKG
型号：
JANTXV1N6156AUS
仓库库存编号：
1086-19692-ND
别名：1086-19692
1086-19692-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 550A（Tc） 830W（Tc） 24-SMPD
型号：
MMIX1T550N055T2
仓库库存编号：
MMIX1T550N055T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 7.6VWM GPKG AXIAL
型号：
JANTXV1N6142A
仓库库存编号：
1086-2956-ND
别名：1086-2956
1086-2956-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 15.2VWM 27.7VC CPKG
型号：
JANTXV1N6149AUS
仓库库存编号：
1086-19638-ND
别名：1086-19638
1086-19638-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 22.8VWM 41.6VC CPKG
型号：
JANTXV1N6153AUS
仓库库存编号：
1086-19668-ND
别名：1086-19668
1086-19668-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG
型号：
JANTXV1N6159AUS
仓库库存编号：
1086-19713-ND
别名：1086-19713
1086-19713-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 22.8VWM GPKG AXIAL
型号：
JANTXV1N6153A
仓库库存编号：
1086-2967-ND
别名：1086-2967
1086-2967-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 1200V 92A 400W SMPD
详细描述：IGBT 1200V 92A 400W Surface Mount SMPD
型号：
MMIX1Y100N120C3H1
仓库库存编号：
MMIX1Y100N120C3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 76VWM 137.6VC CPKG
型号：
JANTXV1N6166AUS
仓库库存编号：
1086-19759-ND
别名：1086-19759
1086-19759-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG
型号：
JANTXV1N6158AUS
仓库库存编号：
1086-19705-ND
别名：1086-19705
1086-19705-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 98.8VWM 187.74VC CPKG
型号：
JANTXV1N6169US
仓库库存编号：
1086-19782-ND
别名：1086-19782
1086-19782-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5.7VWM BPKG AXIAL
型号：
1N6139A
仓库库存编号：
1N6139A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 80A（Tc） 555W（Tc） TO-247
型号：
APT80SM120B
仓库库存编号：
APT80SM120B-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 45A TO247
详细描述：通孔 1200V 45A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB
型号：
GA20SICP12-247
仓库库存编号：
GA20SICP12-247-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT80SM120S
仓库库存编号：
APT80SM120S-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 22.8VWM 43.68VC CPKG
型号：
JANTXV1N6153US
仓库库存编号：
1086-19670-ND
别名：1086-19670
1086-19670-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 10A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT10DC120HJ
仓库库存编号：
APT10DC120HJ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32F120J
仓库库存编号：
APT32F120J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 22.6VC GSQMELF
型号：
JANTXV1N6471US
仓库库存编号：
1086-3009-ND
别名：1086-3009
1086-3009-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 6.9VWM GPKG AXIAL
型号：
JANTXV1N6141A
仓库库存编号：
1086-2955-ND
别名：1086-2955
1086-2955-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC
型号：
JANTXV1N6139AUS
仓库库存编号：
1086-19567-ND
别名：1086-19567
1086-19567-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JAN2N6052
仓库库存编号：
1086-21080-ND
别名：1086-21080
1086-21080-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JAN2N6058
仓库库存编号：
1086-21081-ND
别名：1086-21081
1086-21081-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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