规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 91.2VWM 165.1VC CPKG
型号:
JANTXV1N6168AUS
仓库库存编号:
1086-19772-ND
别名:1086-19772
1086-19772-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 465A(Tc) 600W(Tc) DE475
型号:
IXFZ520N075T2
仓库库存编号:
IXFZ520N075T2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC BSQMELF
型号:
JANTX1N6103AUS
仓库库存编号:
1086-2489-ND
别名:1086-2489
1086-2489-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
IGBT XPT 1200V 105A SOT-227B
详细描述:IGBT Module Single 1200V 105A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXYN82N120C3
仓库库存编号:
IXYN82N120C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 136.8VWM BSQMELF
型号:
JANTX1N6136AUS
仓库库存编号:
1086-2580-ND
别名:1086-2580
1086-2580-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM120-0075P3-SMD SAM
仓库库存编号:
GWM120-0075P3-SMD SAM-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC D-5C
型号:
JANTX1N6162AUS
仓库库存编号:
1086-15427-ND
别名:1086-15427-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC CPKG
型号:
JAN1N6141AUS
仓库库存编号:
1086-19580-ND
别名:1086-19580
1086-19580-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 42.6VWM 77VC GPKG AXL
型号:
JANTXV1N6160A
仓库库存编号:
1086-2974-ND
别名:1086-2974
1086-2974-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 8.4VWM GPKG AXIAL
型号:
JANTXV1N6143A
仓库库存编号:
1086-2957-ND
别名:1086-2957
1086-2957-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 20.6VWM GPKG AXIAL
型号:
JANTXV1N6152A
仓库库存编号:
1086-2966-ND
别名:1086-2966
1086-2966-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 42.6VWM BSQMELF
型号:
JANTXV1N6124US
仓库库存编号:
1086-19495-ND
别名:1086-19495
1086-19495-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 25.1VWM 45.7VC CPKG
型号:
JANTXV1N6154AUS
仓库库存编号:
1086-19676-ND
别名:1086-19676
1086-19676-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG
型号:
JANTXV1N6160AUS
仓库库存编号:
1086-19720-ND
别名:1086-19720
1086-19720-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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IXYS
IGBT 600V 223A 625W SMPD
详细描述:IGBT PT 600V 223A 625W Surface Mount SMPD
型号:
MMIX1X200N60B3
仓库库存编号:
MMIX1X200N60B3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 6VWM 11VC GSQMELF
型号:
JANTXV1N6470US
仓库库存编号:
1086-3007-ND
别名:1086-3007
1086-3007-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 121.6VWM GPKG AXIAL
型号:
JANTXV1N6171A
仓库库存编号:
1086-2985-ND
别名:1086-2985
1086-2985-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 30.5VWM GSQMELF
型号:
JANTXV1N6474US
仓库库存编号:
1086-3015-ND
别名:1086-3015
1086-3015-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 295A(Tc) 1070W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN300N10P
仓库库存编号:
IXFN300N10P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 7.6VWM 14.5VC CPKG
型号:
JANTXV1N6142AUS
仓库库存编号:
1086-19589-ND
别名:1086-19589
1086-19589-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQMELF
型号:
1N6139AUS
仓库库存编号:
1N6139AUS-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 98.8VWM GPKG AXIAL
型号:
JANTXV1N6169A
仓库库存编号:
1086-2983-ND
别名:1086-2983
1086-2983-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 220A(Tc) 789W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FC220SA20
仓库库存编号:
VS-FC220SA20-ND
别名:VSFC220SA20
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 168A(Tc) 600W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F230N20T
仓库库存编号:
MMIX1F230N20T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 235A
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 235A(Tc) 680W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F360N15T2
仓库库存编号:
MMIX1F360N15T2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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