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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC
  
  型号：JAN1N6138US
  仓库库存编号：1086-19560-ND
  别名：1086-19560
  1086-19560-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 600A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 600A（Tc） 830W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1T600N04T2
  仓库库存编号：MMIX1T600N04T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3-SL
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-SL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 58.5VC 517.9A P600
  
  型号：30KPA33A-HRA-B
  仓库库存编号：F8688-ND
  别名：F8688
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL
  
  型号：JANTX1N6462
  仓库库存编号：1086-2619-ND
  别名：1086-2619
  1086-2619-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 51.6VWM BSQMELF
  
  型号：JANTXV1N6468US
  仓库库存编号：1086-3003-ND
  别名：1086-3003
  1086-3003-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• IXYS
  IGBT 600V 280A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 280A 940W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXXN200N60B3
  仓库库存编号：IXXN200N60B3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 200A（Tc） 550W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10T
  仓库库存编号：IXTN200N10T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 200V 108A
  详细描述：N 沟道 200V 108A（Tc） 405W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC80NA20
  仓库库存编号：VS-FC80NA20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 65A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM65-015P
  仓库库存编号：FMM65-015P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6.9VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6141A
  仓库库存编号：1N6141A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 9.9VWM BSQMELF
  
  型号：JANTX1N6109US
  仓库库存编号：1086-2513-ND
  别名：1086-2513
  1086-2513-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 85V 103A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM100-0085X1-SMD SAM
  仓库库存编号：GWM100-0085X1-SMD SAM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG
  
  型号：JANTXV1N6163AUS
  仓库库存编号：1086-19739-ND
  别名：1086-19739
  1086-19739-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 550A DE475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 550A（Tc） 600W（Tc） DE475
  
  型号：IXTZ550N055T2
  仓库库存编号：IXTZ550N055T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 42.6VWM 77VC BSQMELF
  
  型号：JANTXV1N6124AUS
  仓库库存编号：1086-2926-ND
  别名：1086-2926
  1086-2926-MIL
  Q8853113
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL
  
  型号：JANTX1N6470
  仓库库存编号：1086-2631-ND
  别名：1086-2631
  1086-2631-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 22.6VC GSQMELF
  
  型号：JAN1N6471US
  仓库库存编号：1086-2287-ND
  别名：1086-2287
  1086-2287-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC BSQMELF
  
  型号：JANTXV1N6103AUS
  仓库库存编号：1086-2853-ND
  别名：1086-2853
  1086-2853-MIL
  Q8853113A
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6.2VWM 12.1VC BSQMELF
  
  型号：JANTXV1N6104AUS
  仓库库存编号：1086-2857-ND
  别名：1086-2857
  1086-2857-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 11.4VWM BPKG AXIAL
  
  型号：JANTXV1N6110
  仓库库存编号：1086-2879-ND
  别名：1086-2879
  1086-2879-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC
  
  型号：JANTXV1N6138A
  仓库库存编号：1086-19557-ND
  别名：1086-19557
  1086-19557-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200 SOT227B
  详细描述：IGBT Module Single 1200V 240A 1200W Surface Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN120N120C3
  仓库库存编号：IXYN120N120C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 45A 170W Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT25GLQ120JCU2
  仓库库存编号：APT25GLQ120JCU2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF
  
  型号：1N6141AUS
  仓库库存编号：1N6141AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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