规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 9.1VWM CPKG AXIAL
型号:
JANTX1N6144A
仓库库存编号:
1086-2588-ND
别名:1086-2588
1086-2588-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 510A 2300W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 510A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX300N60C3
仓库库存编号:
IXXX300N60C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 8.4VWM CPKG AXIAL
型号:
JANTX1N6143A
仓库库存编号:
1086-2587-ND
别名:1086-2587
1086-2587-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 20.6VWM CPKG AXIAL
型号:
JANTX1N6152A
仓库库存编号:
1086-2596-ND
别名:1086-2596
1086-2596-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK300N60B3
仓库库存编号:
IXXK300N60B3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 510A 2300W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 510A 2300W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK300N60C3
仓库库存编号:
IXXK300N60C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT150GN60LDQ4G
仓库库存编号:
APT150GN60LDQ4G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG
型号:
JAN1N6169AUS
仓库库存编号:
1086-19777-ND
别名:1086-19777
1086-19777-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 62.2VWM 118.44VC CPKG
型号:
JAN1N6164US
仓库库存编号:
1086-19747-ND
别名:1086-19747
1086-19747-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 69.2VWM 131.36VC CPKG
型号:
JAN1N6165US
仓库库存编号:
1086-19753-ND
别名:1086-19753
1086-19753-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 76VWM 137.6VC CPKG
型号:
JAN1N6166AUS
仓库库存编号:
1086-19758-ND
别名:1086-19758
1086-19758-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 76VWM 144.48VC CPKG
型号:
JAN1N6166US
仓库库存编号:
1086-19760-ND
别名:1086-19760
1086-19760-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 86.6VWM 158.87VC CPKG
型号:
JAN1N6167US
仓库库存编号:
1086-19766-ND
别名:1086-19766
1086-19766-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 91.2VWM 173.36VC CPKG
型号:
JAN1N6168US
仓库库存编号:
1086-19773-ND
别名:1086-19773
1086-19773-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 98.8VWM 187.74VC CPKG
型号:
JAN1N6169US
仓库库存编号:
1086-19780-ND
别名:1086-19780
1086-19780-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 114VWM 216.62VC CPKG
型号:
JAN1N6170US
仓库库存编号:
1086-19789-ND
别名:1086-19789
1086-19789-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 136.8VWM SQMELF
型号:
1N6172AUS
仓库库存编号:
1N6172AUS-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 152VWM 273VC SQMELF
型号:
1N6173AUS
仓库库存编号:
1N6173AUS-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 121.6VWM SQMELF
型号:
1N6171AUS
仓库库存编号:
1N6171AUS-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X100-01X1-SMDSAM
仓库库存编号:
GMM3X100-01X1-SMDSAM-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X120-0075X2-SMDSAM
仓库库存编号:
GMM3X120-0075X2-SMDSAM-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X160-0055X2-SMD
仓库库存编号:
GMM3X160-0055X2-SMD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X160-0055X2-SMDSAM
仓库库存编号:
GMM3X160-0055X2-SMDSAM-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 150V 50A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GMM3X60-015X2-SMDSAM
仓库库存编号:
GMM3X60-015X2-SMDSAM-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X180-004X2-SMD
仓库库存编号:
GMM3X180-004X2-SMD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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