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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 105VWM 191VC DO13
  
  型号：1N6066
  仓库库存编号：1N6066MS-ND
  别名：1N6066MS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 121VWM 223VC DO13
  
  型号：1N6067
  仓库库存编号：1N6067MS-ND
  别名：1N6067MS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 128VWM 213VC DO13
  
  型号：1N6067A
  仓库库存编号：1N6067AMS-ND
  别名：1N6067AMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 137VWM 258VC DO13
  
  型号：1N6068
  仓库库存编号：1N6068MS-ND
  别名：1N6068MS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 145VWM 274VC DO13
  
  型号：1N6069
  仓库库存编号：1N6069MS-ND
  别名：1N6069MS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 180VWM 290.4VC P600
  
  型号：30KPA180CA-B
  仓库库存编号：30KPA180CA-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 258VWM 416.4VC P600
  
  型号：30KPA258CA-B
  仓库库存编号：30KPA258CA-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 260VWM 416VC P600
  
  型号：30KPA260CA-B
  仓库库存编号：30KPA260CA-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 270VWM 436.2VC P600
  
  型号：30KPA270CA-B
  仓库库存编号：30KPA270CA-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X100-01X1-SMD
  仓库库存编号：GMM3X100-01X1-SMD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 150V 50A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GMM3X60-015X2-SMD
  仓库库存编号：GMM3X60-015X2-SMD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 65A SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 65A 220W Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT40GL120JU3
  仓库库存编号：APT40GL120JU3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 65A SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 65A 220W Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT40GL120JU2
  仓库库存编号：APT40GL120JU2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 27.4VWM 49.9VC SQMELF
  
  型号：1N6155AUS
  仓库库存编号：1N6155AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 200A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN200N10P
  仓库库存编号：IXFN200N10P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6140A
  仓库库存编号：1N6140A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC EMELF
  
  型号：JANTX1N6468US
  仓库库存编号：1086-1062-ND
  别名：1086-1062
  1086-1062-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG AXL
  
  型号：JAN1N6160A
  仓库库存编号：1086-2252-ND
  别名：1086-2252
  1086-2252-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 152VWM 273VC BSQMELF
  
  型号：JANTX1N6137AUS
  仓库库存编号：1086-2582-ND
  别名：1086-2582
  1086-2582-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL
  
  型号：1N6153A
  仓库库存编号：1N6153A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 69.2VWM SQMELF
  
  型号：1N6165AUS
  仓库库存编号：1N6165AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 76VWM 137.6VC SQMELF
  
  型号：1N6166AUS
  仓库库存编号：1N6166AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 91.2VWM SQMELF
  
  型号：1N6168AUS
  仓库库存编号：1N6168AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 98.8VWM SQMELF
  
  型号：1N6169AUS
  仓库库存编号：1N6169AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 35A TO247HV
  详细描述：IGBT 2500V 35A 500W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH16N250CV1HV
  仓库库存编号：IXYH16N250CV1HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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