以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 91.2VWM BSQMELF
  
  型号：JAN1N6132US
  仓库库存编号：1086-19529-ND
  别名：1086-19529
  1086-19529-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 114VWM BSQMELF
  
  型号：JAN1N6134US
  仓库库存编号：1086-19538-ND
  别名：1086-19538
  1086-19538-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 121.6VWM BSQMELF
  
  型号：JAN1N6135US
  仓库库存编号：1086-19542-ND
  别名：1086-19542
  1086-19542-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 136.8VWM BSQMELF
  
  型号：JAN1N6136US
  仓库库存编号：1086-19546-ND
  别名：1086-19546
  1086-19546-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 152VWM BSQMELF
  
  型号：JAN1N6137US
  仓库库存编号：1086-19551-ND
  别名：1086-19551
  1086-19551-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE RECTIFER TRIPLE 1800V SMPD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 90A Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：DMA90U1800LB
  仓库库存编号：DMA90U1800LB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 156A（Tc） 600W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR230N20T
  仓库库存编号：IXFR230N20T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF
  
  型号：1N6105AUS
  仓库库存编号：1N6105AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 2500V 29A TO247HV
  详细描述：IGBT 2500V 29A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH8N250CV1HV
  仓库库存编号：IXYH8N250CV1HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 91.2VWM BSQMELF
  
  型号：JANTX1N6132AUS
  仓库库存编号：1086-2572-ND
  别名：1086-2572
  1086-2572-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 65A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT70SM70B
  仓库库存编号：APT70SM70B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 188A 1150W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX100N120C3
  仓库库存编号：IXYX100N120C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 2500V 35A TO247AD
  详细描述：IGBT 2500V 35A 500W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXYH16N250C
  仓库库存编号：IXYH16N250C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQMELF
  
  型号：JAN1N6103AUS
  仓库库存编号：1086-2131-ND
  别名：1086-2131
  1086-2131-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL
  
  型号：JANTXV1N6461
  仓库库存编号：1086-2988-ND
  别名：1086-2988
  1086-2988-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 104A 484W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXYR100N120C3
  仓库库存编号：IXYR100N120C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL
  
  型号：1N6470
  仓库库存编号：1N6470-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 2500V 28A TO247HV
  详细描述：IGBT 2500V 28A 310W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH12N250CV1HV
  仓库库存编号：IXYH12N250CV1HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 178A PLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 178A 1500W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX50N170C
  仓库库存编号：IXYX50N170C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 380A 1630W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 380A 1630W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK200N60B3
  仓库库存编号：IXXK200N60B3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 340A 1630W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 340A 1630W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK200N60C3
  仓库库存编号：IXXK200N60C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 41.4VC BPKG AXL
  
  型号：JANTX1N6465
  仓库库存编号：1086-2625-ND
  别名：1086-2625
  1086-2625-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 16.7VWM 30.5VC SQMELF
  
  型号：1N6114AUS
  仓库库存编号：1N6114AUS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 41.4VC BPKG AXL
  
  型号：JANTXV1N6465
  仓库库存编号：1086-2996-ND
  别名：1086-2996
  1086-2996-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 168VWM 286.02VC P600
  
  型号：30KPA168C-B
  仓库库存编号：30KPA168C-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索