规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）, | 创唯电子 (美国1号仓库)

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,

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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 26.5VC BPKG AXL

型号：1N6464
仓库库存编号：1N6464-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 41.4VC BPKG AXL

型号：1N6465
仓库库存编号：1N6465-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 40.3VWM BPKG AXIAL

型号：1N6467
仓库库存编号：1N6467-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 650V 170A 600W Chassis Mount SOT-227B

型号：IXYN100N65A3
仓库库存编号：IXYN100N65A3-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 150A 750W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 150A 750W Through Hole TO-247AD

型号：IXXH75N60C3D1
仓库库存编号：IXXH75N60C3D1-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-268

型号：IXTT16N10D2
仓库库存编号：IXTT16N10D2-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 170V 220A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3

型号：IXFX220N17T2
仓库库存编号：IXFX220N17T2-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 161.3VC R6

型号：15KPA100AE3/TR13
仓库库存编号：15KPA100AE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 161.3VC R6

型号：15KPA100CAE3/TR13
仓库库存编号：15KPA100CAE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM R6

型号：15KPA100CE3/TR13
仓库库存编号：15KPA100CE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM R6

型号：15KPA100E3/TR13
仓库库存编号：15KPA100E3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 178.6VC R6

型号：15KPA110AE3/TR13
仓库库存编号：15KPA110AE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 178.6VC R6

型号：15KPA110CAE3/TR13
仓库库存编号：15KPA110CAE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM R6

型号：15KPA110CE3/TR13
仓库库存编号：15KPA110CE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM R6

型号：15KPA110E3/TR13
仓库库存编号：15KPA110E3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 192.3VC R6

型号：15KPA120AE3/TR13
仓库库存编号：15KPA120AE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 192.3VC R6

型号：15KPA120CAE3/TR13
仓库库存编号：15KPA120CAE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM R6

型号：15KPA120CE3/TR13
仓库库存编号：15KPA120CE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM R6

型号：15KPA120E3/TR13
仓库库存编号：15KPA120E3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 208.3VC R6

型号：15KPA130AE3/TR13
仓库库存编号：15KPA130AE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 208.3VC R6

型号：15KPA130CAE3/TR13
仓库库存编号：15KPA130CAE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM R6

型号：15KPA130CE3/TR13
仓库库存编号：15KPA130CE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM R6

型号：15KPA130E3/TR13
仓库库存编号：15KPA130E3/TR13-ND

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Microsemi Corporation
TVS DIODE 150VWM 241.9VC R6

型号：15KPA150AE3/TR13
仓库库存编号：15KPA150AE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 150VWM 241.9VC R6

型号：15KPA150CAE3/TR13
仓库库存编号：15KPA150CAE3/TR13-ND

规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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