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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ90N15T
仓库库存编号：
IXTQ90N15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 63A 203W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT30GN60BG
仓库库存编号：
APT30GN60BG-ND
别名：APT30GN60BGMI
APT30GN60BGMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B03NT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B03NT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B03NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B03NLT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH90N15T
仓库库存编号：
IXTH90N15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 102A（Tc） 455W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA102N15T
仓库库存编号：
IXTA102N15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA86N20T
仓库库存编号：
IXTA86N20T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B03NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B03NWFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B03NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B03NLWFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 250VWM 425VC P600
型号：
5KP250A-B
仓库库存编号：
5KP250A-B-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号：
NGTD30T120F2WP
仓库库存编号：
NGTD30T120F2WP-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB0690N1507L
仓库库存编号：
FDB0690N1507L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 366W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N60FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N60FL2WGOS-ND
别名：NGTB40N60FL2WGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 25A TO247-3
详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB25N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTB25N120FL2WG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号：
NGTD30T120F2SWK
仓库库存编号：
NGTD30T120F2SWK-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19506KTTT
仓库库存编号：
CSD19506KTTT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO218AB
型号：
SM8S22AHE3/2D
仓库库存编号：
SM8S22AHE3/2DGICT-ND
别名：SM8S22AHE3/2DGICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
STGW40H60DLFB
仓库库存编号：
497-14364-ND
别名：497-14364
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 366W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N65FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N65FL2WGOS-ND
别名：NGTB40N65FL2WGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT FIELD STOP 1200V TO247-4
详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
型号：
NGTB40N120FL2WAG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL2WAG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA180N10T2
仓库库存编号：
IXFA180N10T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 230A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA230N075T2
仓库库存编号：
IXFA230N075T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 455W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP102N15T
仓库库存编号：
IXFP102N15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP180N10T2
仓库库存编号：
IXFP180N10T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA90N15
仓库库存编号：
FQA90N15FS-ND
别名：FQA90N15-ND
FQA90N15FS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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