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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 110VWM 177VC P600
  
  型号：5KP110C-B
  仓库库存编号：5KP110C-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 90VWM 153.3VC P600
  
  型号：5KP90C-B
  仓库库存编号：5KP90C-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 85VWM 143.85VC P600
  
  型号：5KP85C-B
  仓库库存编号：5KP85C-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8407
  仓库库存编号：AUIRFS8407-ND
  别名：IRAUIRFS8407
  IRAUIRFS8407-ND
  SP001520236
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA160N10T
  仓库库存编号：IXTA160N10T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP50N20P
  仓库库存编号：IXTP50N20P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 90W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP50N20PM
  仓库库存编号：IXTP50N20PM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18536KCS
  仓库库存编号：CSD18536KCS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 78VWM 126VC P600
  
  型号：5KP78CA-B
  仓库库存编号：5KP78CA-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 120VWM 193VC P600
  
  型号：5KP120CA-B
  仓库库存编号：5KP120CA-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） 8-HPSOF
  
  型号：FDBL0200N100
  仓库库存编号：FDBL0200N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 60A 270W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH30N65C3
  仓库库存编号：IXYH30N65C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 45A 600V TO-247
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB45N60S2WG
  仓库库存编号：NGTB45N60S2WGOS-ND
  别名：NGTB45N60S2WGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA160N10T7
  仓库库存编号：IXTA160N10T7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N15T
  仓库库存编号：IXTP90N15T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ110N055P
  仓库库存编号：IXTQ110N055P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ50N20P
  仓库库存编号：IXTQ50N20P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ62N15P
  仓库库存编号：IXTQ62N15P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ75N10P
  仓库库存编号：IXTQ75N10P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB15N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTB15N120FL2WG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 70A 300W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB30N65IHL2WG
  仓库库存编号：NGTB30N65IHL2WG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP048RPBF
  仓库库存编号：IRFP048RPBF-ND
  别名：*IRFP048RPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  650V FS GEN3 TRENCH IGBT
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40T70SHD_F155
  仓库库存编号：FGH40T70SHD_F155-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  650V FS4 TRENCH IGBT
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH50T65SQD_F155
  仓库库存编号：FGH50T65SQD_F155-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N15T
  仓库库存编号：IXTA90N15T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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