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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3205
  仓库库存编号：AUIRF3205-ND
  别名：SP001519502
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N04-03P-E3
  仓库库存编号：SUM110N04-03P-E3TR-ND
  别名：SUM110N04-03P-E3-ND
  SUM110N04-03P-E3TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD95NH02LT4
  仓库库存编号：497-4105-1-ND
  别名：497-4105-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0_F102
  仓库库存编号：FDP038AN06A0_F102-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
  
  型号：5KP5.0A-E3/54
  仓库库存编号：5KP5.0A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP5.0A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 76A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP76N15T2
  仓库库存编号：IXFP76N15T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 220VWM 389.66VC P600
  
  型号：5KP220-B
  仓库库存编号：5KP220-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 210VWM 366.98VC P600
  
  型号：5KP210-B
  仓库库存编号：5KP210-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 200VWM 345.66VC P600
  
  型号：5KP200-B
  仓库库存编号：5KP200-B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 250VWM 425VC AXIAL
  
  型号：5KP250A
  仓库库存编号：5KP250A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 270A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA270N04T4
  仓库库存编号：IXTA270N04T4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19536KTT
  仓库库存编号：CSD19536KTT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19506KTT
  仓库库存编号：CSD19506KTT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP110N15T2
  仓库库存编号：IXFP110N15T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NVB6410ANT4G
  仓库库存编号：NVB6410ANT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 56A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP56N15T
  仓库库存编号：IXTP56N15T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ48N20T
  仓库库存编号：IXTQ48N20T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP130N10T2
  仓库库存编号：IXFP130N10T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 15A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTG15N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTG15N120FL2WG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
  
  型号：NGTD23T120F2WP
  仓库库存编号：NGTD23T120F2WP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055P
  仓库库存编号：IXTP110N055P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP62N15P
  仓库库存编号：IXTP62N15P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
  
  型号：NGTD23T120F2SWK
  仓库库存编号：NGTD23T120F2SWK-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Ta） 283W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB5860NLT4G
  仓库库存编号：NVB5860NLT4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 650V 60A 167W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTG35N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTG35N65FL2WGOS-ND
  别名：NGTG35N65FL2WGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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