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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），287A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C604NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C604NLWFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA130N10T7
仓库库存编号：
IXTA130N10T7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA170N075T2
仓库库存编号：
IXTA170N075T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T
仓库库存编号：
IXFA130N10T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLTWFT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLTWFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号：
NGTD21T65F2WP
仓库库存编号：
NGTD21T65F2WP-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP047AN08A0_F102
仓库库存编号：
FDP047AN08A0_F102-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA48N20T
仓库库存编号：
IXTA48N20T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA120N075T2
仓库库存编号：
IXTA120N075T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA130N065T2
仓库库存编号：
IXTA130N065T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号：
NGTD21T65F2SWK
仓库库存编号：
NGTD21T65F2SWK-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 270A
详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP270N04T4
仓库库存编号：
IXTP270N04T4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） 8-HPSOF
型号：
FDBL86062_F085
仓库库存编号：
FDBL86062_F085-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 18A 50W TO220
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXYP20N65C3D1
仓库库存编号：
IXYP20N65C3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 3.12W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM52N20-39P-E3
仓库库存编号：
SUM52N20-39P-E3TR-ND
别名：SUM52N20-39P-E3-ND
SUM52N20-39P-E3TR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP130N065T2
仓库库存编号：
IXTP130N065T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 80A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
STGWA40H65DFB
仓库库存编号：
STGWA40H65DFB-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI540G
仓库库存编号：
IRLI540G-ND
别名：*IRLI540G
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP170N075T2
仓库库存编号：
IXTP170N075T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP220N04T2
仓库库存编号：
IXTP220N04T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP130N10T
仓库库存编号：
IXFP130N10T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP120N075T2
仓库库存编号：
IXTP120N075T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP160N04T2
仓库库存编号：
IXTP160N04T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA110N15T2
仓库库存编号：
IXFA110N15T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 650V 16A 48W TO-220
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXYP15N65C3D1M
仓库库存编号：
IXYP15N65C3D1M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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