规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 650V 38A 200W TO220
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXYP15N65C3D1
仓库库存编号：
IXYP15N65C3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），287A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C604NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C604NLT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 29.2VC 226A DO218AB
型号：
SM8S18AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S18AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 32.4VC 204A DO218AB
型号：
SM8S20AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S20AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 42.1VC 157A DO218AB
型号：
SM8S26AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S26AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 42.1VC 157A DO218AB
型号：
SM8S26AHE3_A/K
仓库库存编号：
SM8S26AHE3_A/K-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 45.4VC 145A DO218AB
型号：
SM8S28AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S28AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 64.5VC 102A DO218AB
型号：
SM8S40AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S40AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 17VC 388A DO218AB
型号：
SM8S10AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S10AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 18.2VC 363A DO218AB
型号：
SM8S11AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S11AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 21.5VC 307A DO218AB
型号：
SM8S13AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S13AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 23.2VC 284A DO218AB
型号：
SM8S14AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S14AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24.4VC 270A DO218AB
型号：
SM8S15AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S15AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 26VC 254A DO218AB
型号：
SM8S16AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S16AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 27.6VC 239A DO218AB
型号：
SM8S17AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S17AHE3_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 47A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），339A（Tc） 3.2W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLTT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLTT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFAFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），302A（Tc） 3.2W（Ta）, 139W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NLT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA56N15T
仓库库存编号：
IXTA56N15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP42N15T
仓库库存编号：
IXTP42N15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 325W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA80N12T2
仓库库存编号：
IXTA80N12T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号：
NGTD20T120F2SWK
仓库库存编号：
NGTD20T120F2SWK-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ456EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ456EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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