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ON Semiconductor
IGBT 45A 600V TO-247
详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB45N60S1WG
仓库库存编号：
NGTB45N60S1WGOS-ND
别名：NGTB45N60S1WGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M1L_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M1L_GE3-ND
别名：SQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 160VWM 259VC AXIAL
型号：
5KP160CA
仓库库存编号：
5KP160CALFCT-ND
别名：5KP160CACT
5KP160CACT-ND
5KP160CALFCT
F3386CT
F3386CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 78VWM 126VC AXIAL
型号：
5KP78CA
仓库库存编号：
5KP78CALFCT-ND
别名：5KP78CALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLTWFT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLTWFT3G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB482L
仓库库存编号：
785-1214-1-ND
别名：785-1214-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 38A 200W TO220
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXYP15N65C3
仓库库存编号：
IXYP15N65C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 600V 30A 167W TO247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247
型号：
AOK15B60D
仓库库存编号：
785-1596-5-ND
别名：785-1596-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA160N04T2
仓库库存编号：
IXTA160N04T2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 23.2VC 284A DO218AB
型号：
ATV66SM814A-G
仓库库存编号：
ATV66SM814A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 24.4VC 270A DO218AB
型号：
ATV66SM815A-G
仓库库存编号：
ATV66SM815A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 26VC 254A DO218AB
型号：
ATV66SM816A-G
仓库库存编号：
ATV66SM816A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 27.6VC 239A DO218AB
型号：
ATV66SM817A-G
仓库库存编号：
ATV66SM817A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 29.2VC 226A DO218AB
型号：
ATV66SM818A-G
仓库库存编号：
ATV66SM818A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 32.4VC 204A DO218AB
型号：
ATV66SM820A-G
仓库库存编号：
ATV66SM820A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 35.5VC 186A DO218AB
型号：
ATV66SM822A-G
仓库库存编号：
ATV66SM822A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 38.9VC 170A DO218AB
型号：
ATV66SM824A-G
仓库库存编号：
ATV66SM824A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 45.4VC 145A DO218AB
型号：
ATV66SM828A-G
仓库库存编号：
ATV66SM828A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 48.4VC 136A DO218AB
型号：
ATV66SM830A-G
仓库库存编号：
ATV66SM830A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 53.3VC 124A DO218AB
型号：
ATV66SM833A-G
仓库库存编号：
ATV66SM833A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 64.5VC 102A DO218AB
型号：
ATV66SM840A-G
仓库库存编号：
ATV66SM840A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 69.4VC 95.1A DO218AB
型号：
ATV66SM843A-G
仓库库存编号：
ATV66SM843A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 300W（Tc） 8-PSOF
型号：
FDBL0330N80
仓库库存编号：
FDBL0330N80CT-ND
别名：FDBL0330N80CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH 650V 140A TO247
详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247
型号：
NGTB50N65S1WG
仓库库存编号：
NGTB50N65S1WG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT 650V 40A 168W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
STGW20H65FB
仓库库存编号：
497-15132-5-ND
别名：497-15132-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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