规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 75VWM 121VC P600
型号:
5KP75A-E3/51
仓库库存编号:
5KP75A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 78VWM 126VC P600
型号:
5KP78A-E3/51
仓库库存编号:
5KP78A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC P600
型号:
5KP8.5A-E3/51
仓库库存编号:
5KP8.5A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 85VWM 137VC P600
型号:
5KP85A-E3/51
仓库库存编号:
5KP85A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 9VWM 15.4VC P600
型号:
5KP9.0A-E3/51
仓库库存编号:
5KP9.0A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 90VWM 146VC P600
型号:
5KP90A-E3/51
仓库库存编号:
5KP90A-E3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 77A(Tc) 217W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6411ANT4G
仓库库存编号:
NVB6411ANT4G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 45VWM 72.7VC P600
型号:
5KP45A-B
仓库库存编号:
5KP45A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 43VWM 69.4VC P600
型号:
5KP43A-B
仓库库存编号:
5KP43A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 14VWM 23.2VC P600
型号:
5KP14A-B
仓库库存编号:
5KP14A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 28VWM 45.4VC P600
型号:
5KP28A-B
仓库库存编号:
5KP28A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 7VWM 12VC P600
型号:
5KP7.0A-B
仓库库存编号:
5KP7.0A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC P600
型号:
5KP6.5A-B
仓库库存编号:
5KP6.5A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 11VWM 18.2VC P600
型号:
5KP11A-B
仓库库存编号:
5KP11A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC P600
型号:
5KP8.5A-B
仓库库存编号:
5KP8.5A-B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NT3G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NLT3G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号:
SQM85N15-19_GE3-ND
别名:SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50020EL_GE3
仓库库存编号:
SQM50020EL_GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90P06-07L_GE3
仓库库存编号:
SQP90P06-07L_GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24VWM 38.9VC P600
型号:
5KP24AHE3/51
仓库库存编号:
5KP24AHE3/51-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC P600
型号:
5KP10CAE3/TR13
仓库库存编号:
5KP10CAE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 18.8VC P600
型号:
5KP10CE3/TR13
仓库库存编号:
5KP10CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
型号:
5KP5.0CAE3/TR13
仓库库存编号:
5KP5.0CAE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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