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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 7VWM 13.3VC P600
  
  型号：5KP7.0E3/TR13
  仓库库存编号：5KP7.0E3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC P600
  
  型号：5KP7.5AE3/TR13
  仓库库存编号：5KP7.5AE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 7.5VWM 14.3VC P600
  
  型号：5KP7.5E3/TR13
  仓库库存编号：5KP7.5E3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8VWM 13.6VC P600
  
  型号：5KP8.0AE3/TR13
  仓库库存编号：5KP8.0AE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8VWM 15VC P600
  
  型号：5KP8.0E3/TR13
  仓库库存编号：5KP8.0E3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC P600
  
  型号：5KP8.5AE3/TR13
  仓库库存编号：5KP8.5AE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8.5VWM 15.9VC P600
  
  型号：5KP8.5E3/TR13
  仓库库存编号：5KP8.5E3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 9VWM 15.4VC P600
  
  型号：5KP9.0AE3/TR13
  仓库库存编号：5KP9.0AE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 9VWM 16.9VC P600
  
  型号：5KP9.0E3/TR13
  仓库库存编号：5KP9.0E3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），300A（Tc） 3.33W（Ta）, 125W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8350LET40
  仓库库存编号：FDMS8350LET40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA100N04T2
  仓库库存编号：IXTA100N04T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA70N075T2
  仓库库存编号：IXTA70N075T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N055T2
  仓库库存编号：IXTA90N055T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP120N04T2
  仓库库存编号：IXTP120N04T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8860
  仓库库存编号：FDB8860CT-ND
  别名：FDB8860CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5860NG
  仓库库存编号：NTP5860NG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N04-1M9_GE3
  仓库库存编号：SQM120N04-1M9_GE3-ND
  别名：SQM120N04-1M9-GE3
  SQM120N04-1M9-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM200N04-1M7L_GE3
  仓库库存编号：SQM200N04-1M7L_GE3-ND
  别名：SQM200N04-1M7L-GE3
  SQM200N04-1M7L-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 21.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT270AL
  仓库库存编号：AOT270AL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT280L
  仓库库存编号：AOT280L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN3R3-80ES,127
  仓库库存编号：1727-6502-ND
  别名：1727-6502
  568-8598-5
  568-8598-5-ND
  934066133127
  PSMN3R380ES127
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34STRRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM110P06-8M9L_GE3
  仓库库存编号：SQM110P06-8M9L_GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N06-06_GE3
  仓库库存编号：SQM120N06-06_GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP100P06-9M3L_GE3
  仓库库存编号：SQP100P06-9M3L_GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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