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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110N05-06L_GE3
仓库库存编号：
SQM110N05-06L_GE3-ND
别名：SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N02-1M3L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N02-1M3L_GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M8_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M8_GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
搜索
STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 40A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
STGWA20M65DF2
仓库库存编号：
STGWA20M65DF2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.1W（Ta），78.1W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N03-3M6P-GE3
仓库库存编号：
SUP85N03-3M6P-GE3-ND
别名：SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFAFT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 8A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），130A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB1100L
仓库库存编号：
785-1319-1-ND
别名：785-1319-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），272.5W（Tc） TO-220
型号：
AOT282L
仓库库存编号：
AOT282L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC P600
型号：
5KP100CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP100CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 179VC P600
型号：
5KP100CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP100CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC P600
型号：
5KP110CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP110CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 196VC P600
型号：
5KP110CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP110CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC P600
型号：
5KP11CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP11CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 20.1VC P600
型号：
5KP11CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP11CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC P600
型号：
5KP120CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP120CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 213VC P600
型号：
5KP120CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP120CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19.9VC P600
型号：
5KP12CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP12CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 22VC P600
型号：
5KP12CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP12CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC P600
型号：
5KP130CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP130CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 231VC P600
型号：
5KP130CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP130CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 13VWM 21.5VC P600
型号：
5KP13CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP13CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 13VWM 23.8VC P600
型号：
5KP13CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP13CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 23.2VC P600
型号：
5KP14CAE3/TR13
仓库库存编号：
5KP14CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 25.8VC P600
型号：
5KP14CE3/TR13
仓库库存编号：
5KP14CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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