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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 16VWM 26VC
  
  型号：SM8S16ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S16ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 17VWM 27.6VC
  
  型号：SM8S17ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S17ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 18VWM 29.2VC
  
  型号：SM8S18ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S18ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC
  
  型号：SM8S20ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S20ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 22VWM 35.5VC
  
  型号：SM8S22ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S22ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC
  
  型号：SM8S24ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S24ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 26VWM 42.1VC
  
  型号：SM8S26ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S26ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 28VWM 45.4VC
  
  型号：SM8S28ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S28ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 30VWM 48.4VC
  
  型号：SM8S30ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S30ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 33VWM 53.3VC
  
  型号：SM8S33ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S33ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC
  
  型号：SM8S36ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S36ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 64.5VC
  
  型号：SM8S40ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S40ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 43VWM 69.4VC
  
  型号：SM8S43ATHE3/I
  仓库库存编号：SM8S43ATHE3/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2552_F085
  仓库库存编号：FDB2552_F085CT-ND
  别名：FDB2552_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C612NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C612NLT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 105A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT292L
  仓库库存编号：785-1636-5-ND
  别名：785-1636-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P06-15L-T4-E3
  仓库库存编号：SUD50P06-15L-T4-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLAFT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C410NLTT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C410NLTT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.67W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SQ3585EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3585EV-T1_GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48RPBF
  仓库库存编号：IRFZ48RPBF-ND
  别名：*IRFZ48RPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN3R5-80ES,127
  仓库库存编号：1727-5283-ND
  别名：1727-5283
  568-6711
  568-6711-5
  568-6711-5-ND
  568-6711-ND
  934065163127
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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