规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ60A R7G
仓库库存编号:
SMDJ60A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ64A R7G
仓库库存编号:
SMDJ64A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ70A R7G
仓库库存编号:
SMDJ70A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ75A R7G
仓库库存编号:
SMDJ75A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ78A R7G
仓库库存编号:
SMDJ78A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ85A R7G
仓库库存编号:
SMDJ85A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 3000
型号:
SMDJ90A R7G
仓库库存编号:
SMDJ90A R7G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE
型号:
1N6386-E3/54
仓库库存编号:
1N6386-E3/54-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 18VWM 25.5VC AXIAL
型号:
ICTE18C-E3/54
仓库库存编号:
ICTE18C-E3/54-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y8R7-60E,115
仓库库存编号:
1727-1128-1-ND
别名:1727-1128-1
568-10283-1
568-10283-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y8R7-60EX
仓库库存编号:
1727-1806-1-ND
别名:1727-1806-1
568-11420-1
568-11420-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 2.5W(Ta),60W(Tc) TO-251A
型号:
AOI409
仓库库存编号:
AOI409-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
别名:SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.82A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C680NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C680NLTAG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT3G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 136VWM 229.95VC AXIAL
型号:
1.5KE160C
仓库库存编号:
1.5KE160C-ND
别名:1.5KE160CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 460VWM 740VC AXIAL
型号:
1.5KE540CA
仓库库存编号:
1.5KE540CA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 451VWM 725VC AXIAL
型号:
1.5KE530CA
仓库库存编号:
1.5KE530CA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15.3A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.3A(Ta),47A(Tc) 3W(Ta),28W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C10NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C10NWFTAG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.1W(Ta),60W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1454
仓库库存编号:
AOL1454-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 68.2W(Tj) Power56
型号:
FDMS9411_F085
仓库库存编号:
FDMS9411_F085CT-ND
别名:FDMS9411_F085CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS401ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS401ENW-T1_GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS423EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS423EN-T1_GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS850EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS850EN-T1_GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3.1W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4823NWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS4823NWFTWG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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