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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF20
  仓库库存编号：497-5812-5-ND
  别名：497-5812-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），200A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7749L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7749L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7749L1TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP029N06NAKSA1-ND
  别名：IPP029N06N
  IPP029N06N-ND
  SP000917404
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 48.4VC 136A DO-218AB
  
  型号：SM8S30AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM8S30AHE3_A/IGICT-ND
  别名：SM8S30AHE3_A/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N10F7
  仓库库存编号：497-13551-5-ND
  别名：497-13551-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB020NE7N3 G
  仓库库存编号：IPB020NE7N3 GCT-ND
  别名：IPB020NE7N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4710PBF
  仓库库存编号：IRFB4710PBF-ND
  别名：*IRFB4710PBF
  SP001556118
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA36P15
  仓库库存编号：FQA36P15-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB019N08N3 G
  仓库库存编号：IPB019N08N3 GCT-ND
  别名：IPB019N08N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40N60SMD
  仓库库存编号：FGH40N60SMD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB010N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB010N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB010N06N-ND
  IPB010N06NATMA1CT
  IPB010N06NCT
  IPB010N06NCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP150N10F7
  仓库库存编号：497-14570-5-ND
  别名：497-14570-5
  STP150N10F7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT020N10N3ATMA1
  仓库库存编号：IPT020N10N3ATMA1CT-ND
  别名：IPT020N10N3ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2532
  仓库库存编号：FDP2532-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP075N15A_F102
  仓库库存编号：FDP075N15A_F102-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT015N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPT015N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPT015N10N5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP150NF55
  仓库库存编号：497-6117-5-ND
  别名：497-6117-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS3107TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS3107TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS3107TRL7PPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4668PBF
  仓库库存编号：IRFP4668PBF-ND
  别名：AUXSNFP4668
  AUXSNFP4668-ND
  SP001572854
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 160A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB40N120L3WG
  仓库库存编号：NGTB40N120L3WGOS-ND
  别名：NGTB40N120L3WGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 50A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FUO50-16N
  仓库库存编号：FUO50-16N-ND
  别名：FUO5016N
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 155A 536W TO264
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT75GN60LDQ3G
  仓库库存编号：APT75GN60LDQ3G-ND
  别名：APT75GN60LDQ3GMI
  APT75GN60LDQ3GMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 90A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DF60HJ
  仓库库存编号：APT60DF60HJ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 7VWM 12VC SMB
  
  型号：SMBJ7.0CA-TP
  仓库库存编号：SMBJ7.0CA-TPMSCT-ND
  别名：SMBJ7.0CA-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 17VC DO204AC
  
  型号：SA10A-E3/54
  仓库库存编号：SA10A-E3/54GICT-ND
  别名：SA10A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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