规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(24943)
电路保护
(14315)
分立半导体产品
(10623)
集成电路（IC）
(5)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(10)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(338)
Bourns Inc.(25)
Comchip Technology(24)
Diodes Incorporated(398)
Fairchild/Micross Components(1270)
Fairchild/ON Semiconductor(278)
GeneSiC Semiconductor(5)
Global Power Technologies Group(10)
Infineon Technologies(3085)
IXYS(555)
Littelfuse Inc.(3215)
M/A-Com Technology Solutions(5)
Micro Commercial Co(823)
Microsemi Corporation(1203)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(589)
Nexperia USA Inc.(712)
NXP USA Inc.(277)
ON Semiconductor(489)
Skyworks Solutions Inc.(17)
SMC Diode Solutions(74)
STMicroelectronics(826)
Taiwan Semiconductor Corporation(5795)
Texas Instruments(32)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Transphorm(9)
Vishay BC Components(416)
Vishay Beyschlag(2196)
Vishay Electro-Films(934)
Vishay Huntington Electric Inc.(325)
Vishay Semiconductor Diodes Division(127)
Vishay Semiconductor Opto Division(76)
Vishay Sfernice(139)
Vishay Siliconix(524)
Vishay Spectrol(67)
Vishay Sprague(19)
Vishay Thin Film(27)
Vishay Vitramon(28)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD068N10N3GATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 18VWM 29.2VC P600
型号：
5KP18A-E3/54
仓库库存编号：
5KP18A-E3/54GICT-ND
别名：5KP18A-E3/54GICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 60VWM 97VC P600
型号：
5KP60A-E3/54
仓库库存编号：
5KP60A-E3/54GICT-ND
别名：5KP60A-E3/54GICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N06L3 G
仓库库存编号：
IPD031N06L3 GCT-ND
别名：IPD031N06L3 GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17P06
仓库库存编号：
FQP17P06-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB130N6F7
仓库库存编号：
497-15895-1-ND
别名：497-15895-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24PBF
仓库库存编号：
IRLZ24PBF-ND
别名：*IRLZ24PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 131W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP50N06
仓库库存编号：
RFP50N06-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 P 沟道 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名：IPB180P04P4L02ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 136W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ480E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ480E-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 48VWM 77.4VC AXIAL
型号：
5KP48A
仓库库存编号：
5KP48ALFCT-ND
别名：5KP48ALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19534KCS
仓库库存编号：
296-38676-5-ND
别名：296-38676-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 24VWM 38.9VC AXIAL
型号：
SLD24U-017
仓库库存编号：
SLD24U-017CT-ND
别名：SLD24U-017CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ34PBF
仓库库存编号：
IRLZ34PBF-ND
别名：*IRLZ34PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 33VWM 55.3VC P600
型号：
SLD33-018
仓库库存编号：
F7178CT-ND
别名：F7178CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号：
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名：SUD40N10-25-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
型号：
SUD70090E-GE3
仓库库存编号：
SUD70090E-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
型号：
SM8S33A-TP
仓库库存编号：
SM8S33A-TPMSCT-ND
别名：SM8S33A-TPMSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO-218AB
型号：
SM8S36A-TP
仓库库存编号：
SM8S36A-TPMSCT-ND
别名：SM8S36A-TPMSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 260A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLB3813PBF
仓库库存编号：
IRLB3813PBF-ND
别名：64-0084PBF
64-0084PBF-ND
SP001558110
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 4.8W（Ta）, 187W（Tc） PowerFLAT（6x5）
型号：
STL220N6F7
仓库库存编号：
497-15914-1-ND
别名：497-15914-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP085N10A_F102
仓库库存编号：
FDP085N10A_F102-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STP55NF06FP
仓库库存编号：
497-3193-5-ND
别名：497-3193-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 52.4A（Tc） 121W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP50N06L
仓库库存编号：
FQP50N06L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N15
仓库库存编号：
FQA28N15-ND
别名：Q2458553
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
