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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M35-80EX
仓库库存编号:
1727-2580-1-ND
别名:1727-2580-1
568-13024-1
568-13024-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 61W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5303-1-ND
别名:1727-5303-1
568-6736-1
568-6736-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03L G
仓库库存编号:
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L-09
仓库库存编号:
IPD30N03S4L-09INCT-ND
别名:IPD30N03S4L-09INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-60YLX
仓库库存编号:
1727-2589-1-ND
别名:1727-2589-1
568-13040-1
568-13040-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M12-60EX
仓库库存编号:
1727-2569-1-ND
别名:1727-2569-1
568-13013-1
568-13013-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M6R3-40EX
仓库库存编号:
1727-7315-1-ND
别名:1727-7315-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M22-80EX
仓库库存编号:
1727-2560-1-ND
别名:1727-2560-1
568-13004-1
568-13004-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S4L08ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN014-80YLX
仓库库存编号:
1727-2590-1-ND
别名:1727-2590-1
568-13041-1
568-13041-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PLGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
别名:SPD04P10PL GCT
SPD04P10PL GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y18-75B,115
仓库库存编号:
1727-4606-1-ND
别名:1727-4606-1
568-5516-1
568-5516-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN028-100YS,115
仓库库存编号:
1727-5226-1-ND
别名:1727-5226-1
568-6543-1
568-6543-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN021-100YLX
仓库库存编号:
1727-2593-1-ND
别名:1727-2593-1
568-13044-1
568-13044-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S4L12ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA2CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
BUK7225-55A,118
仓库库存编号:
1727-7154-1-ND
别名:1727-7154-1
568-9637-1
568-9637-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL60HS118
仓库库存编号:
IRL60HS118CT-ND
别名:IRL60HS118CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 88W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R5-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4164-1-ND
别名:1727-4164-1
568-4680-1
568-4680-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20.7A 38W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K35-60EX
仓库库存编号:
1727-1482-1-ND
别名:1727-1482-1
568-10962-1
568-10962-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB080N03L G
仓库库存编号:
IPB080N03L GCT-ND
别名:IPB080N03L GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y07-30B,115
仓库库存编号:
1727-4610-1-ND
别名:1727-4610-1
568-5522-1
568-5522-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 65W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S405ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S405ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7173-1-ND
别名:1727-7173-1
568-9658-1
568-9658-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9628-55A,118
仓库库存编号:
1727-7195-1-ND
别名:1727-7195-1
568-9684-1
568-9684-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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