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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 90V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11013-CT
  仓库库存编号：CP647-MJ11013-CT-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 90V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11013-WS
  仓库库存编号：CP647-MJ11013-WS-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11015-CT
  仓库库存编号：CP647-MJ11015-CT-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11015-CTJ28
  仓库库存编号：CP647-MJ11015-CTJ28-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11015-WN
  仓库库存编号：CP647-MJ11015-WN-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11015-WR
  仓库库存编号：CP647-MJ11015-WR-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
  
  型号：CP647-PMD19K100-CT
  仓库库存编号：CP647-PMD19K100-CT-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
  
  型号：CP647-PMD19K100-WN
  仓库库存编号：CP647-PMD19K100-WN-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
  
  型号：CP647-PMD19K100-WS
  仓库库存编号：CP647-PMD19K100-WS-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54
  详细描述：通孔 P 沟道 300V 170mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSP304A,126
  仓库库存编号：BSP304A,126-ND
  别名：934030880126
  BSP304A AMO
  BSP304A AMO-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  TVS DIODE 18VWM 27VC 6TSOP
  
  型号：BZA418A,165
  仓库库存编号：BZA418A,165-ND
  别名：934057138165
  BZA418A /T2
  BZA418A /T2-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  TVS DIODE 5.2VWM 12VC 20SSOP
  
  型号：PESD5V2S18U,118
  仓库库存编号：PESD5V2S18U,118-ND
  别名：934057592118
  PESD5V2S18U /T3
  PESD5V2S18U /T3-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：PHK4NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK4NQ10T,518-ND
  别名：934055907518
  PHK4NQ10T /T3
  PHK4NQ10T /T3-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Tc） 6.25W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT2NQ10T,135
  仓库库存编号：PHT2NQ10T,135-ND
  别名：934056839135
  PHT2NQ10T /T3
  PHT2NQ10T /T3-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：PHN210,118
  仓库库存编号：PHN210,118-ND
  别名：934033430118
  PHN210 /T3
  PHN210 /T3-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
  详细描述：RF Transistor NPN 5V 12mA 50mW Surface Mount PG-SOT343-4
  
  型号：BGR405H6327XTSA1
  仓库库存编号：BGR405H6327XTSA1TR-ND
  别名：BGR 405 H6327
  BGR 405 H6327-ND
  SP000750466
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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